国产芯片突破5纳米,美芯巨头直接将订单延续至2026年

国产芯片突破5纳米，美芯巨头直接将订单延续至2026年国产芯片产业近年来频频传来好消息，尤其是在通富微电的突破性进展中。该公司成功达成5纳米工艺技术的突破，不仅为我国芯片行业带来了新的生机，还引发了全球半导体行业的高度关注。值得注意的是，国际芯片设计巨头AMD更是在这一背景下，将订单直接交给了通富微电...

国产芯片突破五纳米 订单延续至2026年

国产芯片突破五纳米订单延续至2026年在当前全球科技竞争态势日益升温的背景下，芯片产业的自我突破显得尤为重要。2024年很可能成为中国芯片发展的一个重要转折点。随着国内在5纳米光刻机领域取得显著进展，尤其是在RISC-V架构的崛起下，中国正在重塑芯片产业的格局。在经济命脉和国家安全的双重考量下，这是一场不容忽...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

尽管中国的65纳米光刻机尚未达到ASML最先进的7纳米机型的水准,但这一突破标志着中国已经具备了制造芯片关键设备的能力。未来,随着国产光刻机技术的迭代更新,西方国家的技术垄断地位将受到更大的挑战。中国光刻机的未来:从艰难起步到技术腾飞尽管中国的光刻机技术起步较晚,但其发展速度令人惊叹。此次推出的65纳...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几次,就像一个东西,他这样印一遍就变成一半,于是再来玩一次再变成一半,这种东西在技术上是可行的。”我们知道,芯片制造商在使用光刻机...

“芯片荒”打不倒中国半导体,“28纳米”俱乐部又添新员

28纳米，是个很微妙的数字，它远不及5纳米、3纳米芯片听上去那么“高大上”，却足以覆盖主流应用场景。而巨大的国产替代空间，将让相关产业的造血能力大幅提升，为产业登峰提供动力。它是国产半导体崛起的希望，也是挑战的开始。-01-从“芯片荒”到技术突破大家还记得前两年那场轰轰烈烈的“汽车芯片荒”吗？没...

只使用国产设备,我们究竟能生产多少纳米的芯片?

可见,综合起来看,理论上来讲,只使用国产设备,不依赖任何进口,国产半导体应该是65nm左右的水平,但实际应用下,能达到多少,谁也不清楚,但应该不会比65nm更强(www.e993.com)2024年11月9日。65nm应该是不够的,但如果达到7nm,估计就差不太多了,所以国产半导体设备还需要加油,只要全达到7nm的水准,基本上问题就解决了,禁令就成废纸了。

日媒确认,中国芯片通过架构升级,将7纳米芯片做到5纳米性能

通过芯片架构升级也是提升芯片性能的途径,苹果就通过芯片架构研发,将ARM架构的性能推升到历史最高水平,苹果的M系芯片已接近Intel的酷睿系列芯片水平,国产龙芯也通过自研芯片架构以12纳米工艺生产达到Intel采用7纳米工艺生产的酷睿13代水平,如今国产5G芯片也取得进展,都说明芯片架构设计确实一条提升芯片性能的重要途径。

中国大陆4纳米手机芯片快来了?

另一博主「Oneline科技」透露,小米自研芯片成果已跨一大步,4纳米芯片性能与麒麟9000s相差不大,已顺利流片,预计今年能见到。从以上消息来看,中国大陆自产手机Soc进入4纳米的时间点已不远,业内人士则透露,2026年可能性比较大。

从“差三代”到“全覆盖”!国产芯片制造核心装备实现新突破

今年年初,“中国电科实现国产离子注入机28纳米工艺全覆盖”入选“2023年度央企十大国之重器”。离子注入机调试现场。烁科中科信供图“孤勇出征”造出首台样机制造芯片时,由于纯净硅不具备导电性,需要掺入不同种类的元素改变其结构与电导率。这一过程要靠离子注入机来完成——通过电磁场控制高速运动的离子,按照...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更适合于28纳米或更宽泛的应用范围。具体到芯片方面,以国际半导体技术路线图对套刻误差的要求为例,“套刻精度达到≤8nm”足以满足DRAM器件、Flash器件等存储相关芯片光刻环节的需要。