SK海力士揭秘半导体全球生产基地及应用领域

在10纳米(nm)及以下逻辑芯片产能方面,中国台湾的市场份额高达69%;在10纳米至22纳米区间逻辑芯片产能方面,也同样处于行业前列。而在28纳米及以上的逻辑芯片生产领域,则是中国内地的市场份额更为突出。6逻辑半导体:一种被视为电子设备“大脑”的半导体芯片,能够处理信息并进行计算,执行多种任务。??分立、模拟及其...

SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM

SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DRAM财联社9月3日电，SK海力士近日宣布成功开发出采用第六代技术的16GbDDR5DRAM，速度可达8Gbps，比上一代产品快11%，电源效率提升9%以上，计划今年内实现量产，明年开始正式供货。SK表示，第六代技术是在第五代技术基础上通过提高设计完整性突破工艺限制，未来计划把该...

SK海力士有望超越英特尔,首次跻身全球第三大芯片厂

不久前,SK海力士宣布开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款芯片功耗更低,能效更高,名为1c16GbDDR5,其中的1c代表SK海力士的第六代10纳米工艺。这款1c16GbDDR5芯片将主要服务于高性能数据中心,运行速度达到8Gbps(每秒8千兆比特),相比前一代产品速度提升了11%;此外,该芯片的能效也比...

为降EUV制程成本,SK海力士目标10纳米以下采3D DRAM技术

知情人士表示,三星和SK海力士目标是10纳米制程以下的DRAM应用4F2技术。SK海力士的SeoJaeWook认为,采用VG或3DDRAM制程设计,可将EUV制程成本降一半。三星先前宣布成功将3DDRAM堆栈到16层,表示现在不是量产阶段,而是可行性验证阶段。

SK海力士将年内完成第六代10纳米级DDR5 DRAM量产准备

SK海力士预计新的1C-DDR5芯片预计将于今年量产,2025年批量出货。SK海力士宣布,全球首次开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb(Gigabit,千兆比特)DDR5DRAM。

SK海力士出售无锡工厂,逐渐退出在华晶圆代工业务

据半导体行业人士5月8日消息,SK海力士运营8英寸代工厂的子公司SK海力士系统IC近日召开董事会,决定出售其本土代工生产企业SK海力士系统IC无锡工厂21.33%的股权,以及工艺技术等无形资产转让给无锡工业发展集团(www.e993.com)2024年11月22日。销售额分别为2054亿韩元(1.5048亿美元)和1209亿韩元。无锡产业发展集团是无锡市人民政府投资公司,与SK海力...

SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动 1c 纳米 DRAM 内存量产

IT之家4月9日消息,据韩媒Businesskorea报道,SK海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存的量产。进入20~10nm制程后,一般以1+字母的形式称呼内存世代,1cnm即对应美光的1-gammanm表述,为第六个10+nm制程世代。三星方面称呼上一世代1bnm为“12nm级”。

消息称 SK 海力士无锡工厂升级第四代 DRAM

IT之家1月16日消息,根据韩媒《首尔经济日报》报道,SK海力士计划在2024年之前,完成对无锡C2工厂的改造,转换升级为第四代(1a)D-ram工艺,该工艺达到10nm级别。IT之家注:无锡工厂是该公司的核心生产基地,约占SKhynixD-RAM总产量的40%。该厂目前生产10纳米后期级别的第二代(1y)和第...

SK海力士将升级中国半导体工厂 采用第四代10纳米工艺

据了解,无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为,SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易,因为自2019年以来,美国为阻止中国半导体产业崛起,单方面限制了制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

SK海力士,盯上了混合键合

导读:SK海力士宣布计划于2025年推出12层HBM4产品,并采用自家研发的封装技术,提高能效和散热性能。此外,SK海力士已开发出高效MR-MUF技术,应用HBM产品,显著提升散热性能,成为业界领先供应商。SK海力士突破HBM堆叠层数限制,MR-MUF和混合键合封装两手抓。