国产光刻机重大突破!28纳米芯片全流程国产化,龙头厂商梳理

氟化氩光刻机以其65纳米以下的分辨率和8纳米以下的套刻精度，展现了国产光刻机在高端技术领域的强劲实力。这一成就不仅打破了国外技术垄断，更为国产芯片制造提供了强有力的支持，加速了我国芯片产业的自主可控进程。二、技术突破与市场前景光刻机的技术复杂程度极高，其内部构造涉及光源系统、双工作台、物镜系统、...

里程碑突破:国产大芯片光刻机首度交付,挑战国际巨头ASML

国产28纳米光刻机：半导体产业里程碑近期，科技界的焦点聚集在了国产28纳米光刻机的成功交付使用。这一事件对于国内半导体产业而言，无疑是划时代的里程碑，标志着首台国产大芯片光刻机的诞生。光刻机，作为集成电路制造的核心设备，其技术水平直接决定了芯片的性能和生产效率。过去，高端光刻机市场长期被国外巨头垄...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

此次推出的65纳米光刻机,虽然与全球最顶尖的7纳米光刻机仍有差距,但已经能够满足大部分工业芯片的生产需求。尤其是在汽车制造、家电智能化等领域,28纳米及以上的芯片需求庞大,而中国自主研发的光刻机正好填补了这一市场空白。更重要的是,随着国产光刻机的不断改进,中国芯片产业逐步摆脱了对外技术的依赖。这不...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么

总体来说,这次曝光的国产DUV光刻机,应该是之前90nm分辨率的国产光刻机的改良版,能用于55—65nm的成熟制程芯片制造需求。“工信部表格里不止氟化氩光刻机,还有配套设备,是个小生态。看工艺节点,都侧重成熟区间,尤其28纳米。”王如晨表示,如果规模化推广,FAB(晶圆厂)成功量产,中国除了手机等场景外,有更大或者说真...

「一水」国产光刻机落后20年?回答几个大家比较关心的问题。

第四个问题:如果是分辨率65nm的干式步进式光刻机,相当于什么水平?能做多少纳米芯片呢?直接说答案,从性能参数来看,大概相当于ASML的XT1460k。1460k不知道什么时候生产的,但是1470是2020年的产品。所以有人说不如ASML20年前的技术是不对的。如果对标XT1460k的话,那么对应的最小制程估计就是65nm。但你说,这...

28nm!国产第二家28nm代工厂诞生,利润翻7倍以上!

从成立至今,短短九年时间内,晶合集成实现90纳米、55纳米、40纳米,到28纳米的跨越,这是国产芯片制造领域不断突破的一个缩影(www.e993.com)2024年11月6日。同时,在技术突破之时,晶合集成财务上也取得了很好的回报。三、利润实现7倍以上增长由于技术的不断突破,以及消费电子市场需求的复苏,自2024年3月至今,晶合集成产能一直处于满载状态,6月...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

05专家表示,国产光刻机向前迈了一小步,国内晶圆厂扩产自主可控可期。以上内容由腾讯混元大模型生成,仅供参考本报记者李玉洋上海报道波长为193nm(纳米)、分辨率≤65nm、套刻≤8nm……日前,工信部的一份文件,再次把国产光刻机推入公众视野,甚至传出国产DUV光刻机突破8nm工艺的“重磅消息”。

350纳米!发布国产光刻机-俄罗斯| 国科院研·科技成果转化

在这种困境下,俄罗斯近日突然推出了可用于生产350nm芯片的国产光刻机,并宣布了芯片生产设备的国产化计划。于是,荷兰ASML等国际光刻巨头最不愿意看到的情况开始出现。据塔斯社报道,俄罗斯工业和贸易部副部长瓦西里·什帕克在2024年俄罗斯数字工业博览会上表示,俄罗斯将在2026年拥有130纳米国产光刻机,下一步将开发90纳米光...

俄罗斯成功造出光刻机:落后西方25年,吃光了老本,只能拥抱东方

根据官方公开的信息可知,中国上海微电子公司已经量产了90纳米分辨率的SSX600系列光刻机,28纳米分辨率光刻机大概率也会在2024年取得突破。而28纳米级芯片,正是目前制造业需求量最大的,毕竟5纳米、3纳米级芯片目前还存在成本高、良品率较低等问题,不适合在全社会铺开,家电、汽车、雷达、飞机使用28纳米级芯片已经完全...

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更适合于28纳米或更宽泛的应用范围。具体到芯片方面,以国际半导体技术路线图对套刻误差的要求为例,“套刻精度达到≤8nm”足以满足DRAM器件、Flash器件等存储相关芯片光刻环节的需要。