国产芯片突破五纳米 订单延续至2026年

国产芯片突破五纳米订单延续至2026年在当前全球科技竞争态势日益升温的背景下，芯片产业的自我突破显得尤为重要。2024年很可能成为中国芯片发展的一个重要转折点。随着国内在5纳米光刻机领域取得显著进展，尤其是在RISC-V架构的崛起下，中国正在重塑芯片产业的格局。在经济命脉和国家安全的双重考量下，这是一场不容忽...

“芯片荒”打不倒中国半导体,“28纳米”俱乐部又添新员

28纳米，是个很微妙的数字，它远不及5纳米、3纳米芯片听上去那么“高大上”，却足以覆盖主流应用场景。而巨大的国产替代空间，将让相关产业的造血能力大幅提升，为产业登峰提供动力。它是国产半导体崛起的希望，也是挑战的开始。-01-从“芯片荒”到技术突破大家还记得前两年那场轰轰烈烈的“汽车芯片荒”吗？没...

中国高端光刻机问世,分辨率突破65纳米,能制造8纳米的芯片吗

尽管中国的65纳米光刻机尚未达到ASML最先进的7纳米机型的水准,但这一突破标志着中国已经具备了制造芯片关键设备的能力。未来,随着国产光刻机技术的迭代更新,西方国家的技术垄断地位将受到更大的挑战。中国光刻机的未来:从艰难起步到技术腾飞尽管中国的光刻机技术起步较晚,但其发展速度令人惊叹。此次推出的65纳...

台积电说中国能造8nm,华为却认为制造先进芯片面临很大困难背后

他表示:“国产氟化氩光刻机它的波长大概193纳米,用193纳米要做一个8nm的技术,绝对是可能的,它要把193再除以2再除以2,就除到一个程度就会变成接近8nm,只要它在那个地方印好几次,就像一个东西,他这样印一遍就变成一半,于是再来玩一次再变成一半,这种东西在技术上是可行的。”我们知道,芯片制造商在使用光刻机...

美卖力施压,中国造出来了,德媒中国突破7纳米芯片光刻机技术

同时，美国颁布法令限制高端芯片流入中国，明确禁止向中国出口14纳米及以下的先进半导体。不止这样，美国把制裁的范围扩展到整个产业链了，从半导体制造一直到先进计算机之类的，全都放进了对华出口管制的范围里，而且还把中国的几十家企业当作制裁对象。美国还头一回提出，不让美国公民跟中国的芯片厂商有任何合作，这就...

国产光刻机“套刻≤8nm”意味着什么?接近ASML 2015年的水平

那么,通知文件中的ArF光刻机(光源波长193nm,分辨率≤65nm,套刻≤8nm)极限能做到多少纳米制程?处于什么水平?极限制程能达到多少纳米?综合来看,这种规格的国产ArF光刻机性能与ASML于2015年二季度出货的ArF光刻机TWINSCANXT:1460K(分辨率为≤65nm,套刻精度<5nm)较为接近(www.e993.com)2024年11月10日。而按套刻精度与量产工艺1∶3的关系,这...

日媒确认,中国芯片通过架构升级,将7纳米芯片做到5纳米性能

中国芯片制造主要基于现有的DUV光刻机研发,普遍认为现有的DUV光刻机可以生产的最先进工艺应该是7纳米,如果不计成本或许能以多重曝光技术生产5纳米,但是那样不仅成本高得离谱,芯片良率也将大幅下降,从经济性方面来说非常不划算。为此中国芯片行业尝试通过其他方式提升芯片性能,如芯片堆叠技术、小芯片技术等等,通过将多...

科技企业高管说:我国芯片技术能解决7纳米已很了不起,3/5纳米不容易!

台积电尚且无法实现以DUV光刻机生产5纳米,这里的专家却不断吹嘘可以DUV光刻机生产5纳米,甚至突破到3纳米,事实上,对于国产半导体厂商来说,未来很长时间想要生产7nm及其以下的芯片依然是困难的。目前,中国的芯片虽然设计、封测能达到3nm水平,但最关键的生产能力还在10nm~28nm成熟制程之间发力。不过,对于绝大多数...

华为张平安:别想5nm、3nm,目前7nm对中国芯片最重要

关于国产芯片,他这样说:“我们肯定是得不到3nm,肯定得不到5nm,我们能解决7nm就非常好。”同时张平安认为,中国芯片创新的方向,必须依托我们芯片能力的方向,不能在单点的芯片工艺上,而是应该在系统架构上发力,发挥我们在带宽上的能力,希望用空间、用带宽、用能源来换取我们在芯片上的缺陷。

首先得有,28nm/65nm突破为何被工信部列为“重大技术”

因此,尽管目前国产光刻机的套刻精度达到了8纳米,但这并不意味着可以直接生产8纳米制程的芯片,而是可能更适合于28纳米或更宽泛的应用范围。具体到芯片方面,以国际半导体技术路线图对套刻误差的要求为例,“套刻精度达到≤8nm”足以满足DRAM器件、Flash器件等存储相关芯片光刻环节的需要。