西工大团队在近红外窄带发射含硼有机材料领域取得新进展

该研究成功合成了一系列由硼原子桥接的螺旋扭曲D-π-A共轭体系,实现了明亮的红色到近红外(NIR)发射,其具有显著较窄的35nm(0.08eV)的半峰全宽(FWHM)值

干货| 碳化硅都需要检测些什么?

此外,还可以通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)或X射线光电子能谱(XPS)分析碳化硅表面的化学状态,检测表面污染物。五、其他性能测试除了上述检测内容外,碳化硅还需要进行以下性能测试:热重分析(TGA):测定碳化硅的氧含量及其在高温下的氧化稳定性。耐酸碱性测试:评估碳化硅在腐蚀性环境中的稳定性。盐雾测试:在盐雾环...

6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究

研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25cm-2以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。引言碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,因其优异的材料特性,如禁带宽度大、击穿场强高、饱和电子漂移速度快、热导率高,可以满足功率电子技术对高温、高功率、...

这一碳化硅设备厂商再获融资

早在2022年6月初，优睿谱首台半导体专用FTIR（傅立叶变换红外光谱）测量设备Eos200就已正式交付客户，目前该设备已通过客户测试，正式在客户端上线使用。2023年，优睿谱推出了碳化硅衬底晶圆位错及微管检测设备SICD200和晶圆电阻率量测设备SICV200。其中，SICD200可实现碳化硅位错检测的整片晶圆全检测，并已获境外顾客...

碳化硅检测项目及相关标准和方法

碳化硅是碳化硅样品中最主要的成分,它决定了碳化硅的基本性能和应用价值,因此需要将其准确地测定并控制在一定范围内。碳化硅的测定方法是将经过酸处理失量测定后剩余的样品用高温炉加热至1200℃以上,使其完全分解为二氧化碳和二氧化硅,并用红外线吸收法或重量法分别测定二者的含量,并据此计算碳化硅含量。

碳化硅集成光子学研究进展及其应用

首先，碳化硅广泛应用于高功率电子行业，其大尺寸晶圆材料制备工艺已发展成熟(www.e993.com)2024年12月19日。其次，碳化硅的带隙为2.4~3.2eV，对应于紫外到中红外光学宽透光窗口（0.37~5.6μm）。其三，碳化硅具有较大的二阶非线性系数（30pm/V）［24］，这使得在碳化硅平台上实现高效的频率转换和低损耗的电光调制成为...

预算2.72亿元!山东大学近期大批仪器采购意向

导读:近日,山东大学发布多批政府采购意向,仪器信息网特对其中的仪器设备品目进行梳理,统计出74项仪器设备采购意向,预算总额达2.72亿元。近日,山东大学发布74项仪器设备采购意向,预算总额达2.72亿元,涉及120kV透射电子显微镜、高精度表面化学机械抛光机、X-ray空洞检测设备、高功率半导体器件分析仪、电感耦合等离子体质谱...

优睿谱FTIR设备Eos300+交付12寸先进制程FAB

通过优化的硬件设计(更新的红外光谱仪技术)配合自主开发的GlobalFittingAlgo.??算法技术实现碳化硅多层(≥3层)外延膜厚测量设备Eos200L+硅材料中C/O含量测量设备Eos200T适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200/Eos300优睿谱SICV200设备:实现了晶圆电阻率量测设备,该设备完全对标国外供应商测试性能及设备...

优睿谱公布A+轮融资,融资额数千万人民币,投资方为君子兰、境成...

主要产品领域为半导体前道量测设备,包括:面向硅基晶圆的量测设备,如傅里叶变换红外光谱膜厚测量设备.傅里叶变换红外光谱元素浓度与膜厚测量设备、晶圆键合及晶圆内生缺陷检测设备;面向碳化硅晶圆的量测设备,如傅里叶变换红外光谱膜厚测量设备、晶圆平整度测量设备,晶圆位错及微管检测设备,晶圆边缘及表面外观缺陷检测设...

安森美如何为汽车、工业打造智能之“眼”?

HyperluxLH系列的特点是「高动态」,采用堆栈式2.0umBSI像素,HDR高达120dB,其eHDR技术可节省系统资源,并且该传感器在近红外光谱中具有高量子效率,能够在不牺牲图像质量的前提下,减少其使用数量、降低光照强度需要、降低总体BOM成本。Hyperlux系列则支持最高动态范围(150db)、LED无闪烁,单次曝光可达110dbHDR,...