intel掀开台积电的老底?台积电3nm芯片,等同英特尔7nm

而台积电的3nm是1.24亿个每平方毫米,intel4和台积电的N3差不多,而intel3则更强一点,晶体管数量更多。由此可见,intel的intel3工艺,其实就是台积电的N3工艺,英特尔之前是将它叫做7nm的,后来看到台积电、三星们喜欢将数字改的越小越好,所以intel也打加入了这个命名大法中,改成了intel3,说是3nm。由此可见,什么intel2...

台积电也疯狂!拿出2650亿扩产芯片,540亿投向美国

就拿中国大陆最大的晶圆厂中芯国际来说,一年的收入才450多亿元,相当于台积电批准的投入,是中芯国际5年的收入,哪怕是投向美国工厂的投入,也是中芯国际一年的收入。所以造芯,真的是巨头的游戏,特别是先进工艺,一般的企业玩不转,这或许也是格芯、联电放弃了向10nm之下前进的原因,他们只停留在12/14nm,不再前进了...

英特尔宣布为高通代工芯片,目标4年内赶超台积电、三星

英特尔同时宣布,将会在2025年之前扩大代工业务,从而追赶台积电和三星等竞争对手,重新夺回领先优势。英特尔也公开了未来四年中将推出的5种芯片制造技术,分别是10nmSuperFin,Intel7,Intel4,Intel3以及Intel20A。其中Intel7就是原EnhancedSuperFin,而Intel4就是此前的7nm工艺。英特尔CEO基辛格表示,之所以会更改...

台积电已掌握3nm技术,英特尔在美国芯片法案支持下,会追上来吗

全球芯片工艺的发展历程反映了半导体行业的技术创新和市场竞争。目前，台积电(TSMC)和三星(Samsung)在3nm制程技术上处于行业领先地位。而英特尔则表示他们正在加快步伐，计划在今年实现intel20A和intel18A工艺，这相当于2nm的工艺，意图超过台积电。从历史的角度来看，英特尔在28nm之前的工艺中确实是领军者，但到了28nm之...

张忠谋示警:英特尔与台积电竞合进入新赛局

但他上任后,除了10nm制程上线量产,今年底英特尔第一款采用极紫外光设备制程的Intel4制程(相当于台积电7nm)已在奥勒冈厂量产,采用这款制程的MeteorLake处理器即将上市;Intel3制程将用在数据中心使用,代号SierraForest和GraniteRapids的处理器上,预计明年上半年出货。

台积电“攻防战”

长期以来,在摩尔定律的驱动下,晶圆厂一直紧追先进工艺,这场决赛的最后仅剩台积电、三星和英特尔,在先进制程节点展开肉搏(www.e993.com)2024年11月2日。如今,随着AI、高性能计算等新兴技术的驱动,晶圆代工产业先进制程的重要性日益凸显。据业界预测,全球芯片制造产能中,10nm以下制程占比将会大幅提升,将由2021年的16%上升至2024年近30%。

英特尔1nm投产时间曝光!领先于台积电

Intel14A将是英特尔首次采用High-NAEUV光刻机的工艺。对比来看，台积电此前路线图显示，其1.4nm级A14工艺预计在2027到2028年间推出，采用High-NAEUV的1nm级A10工艺开发预计将在2030年左右完成。如果英特尔代工业务能按期推进计划，将在关键的1nm节点重夺技术领导权，领先于台积电。英特尔公司执行副总裁兼全球首席...

不知不觉 AMD的市值已经等于两个Intel!

甚至台积电都接上5nm订单了,Intel的7nm还在如约跳票。至于台积电能成的原因,除了死磕10nmFinFET技术以外,当年人人唾弃的“夜鹰计划”也是功不可没。不过吃了瘪的Intel非但没有认怂,相反,基辛格上位之后又搞了个IDM2.0,直指台积电和三星的腹地,还说要在四年内实现五个制程的小目标。

英特尔又拿下全球第二台High NA EUV光刻机

众所周知,英特尔与ASML合作了数十年时间,推动了光刻技术从193nm浸没式光刻技术发展到EUV,但出于成本考虑,英特尔选择不在其10nm工艺(相当于台积电6nm)中使用该技术。相反,英特尔选择使用标准深紫外(DUV)光刻机进行四重图案化,需要对单个芯片层进行四次DUV曝光,而不是使用EUV进行单次曝光。结果,英特...

台积电获得高数值孔径极紫外光刻机,芯片制程之争进入白热化

intel4相当于7nm工艺,intel3相当于5nm工艺,2024年发布的intel20A可等效于台积电的3nm,2025年计划发布intel18A,相当于台积电2nm工艺。intel20A采用GAA技术(全环栅型),这和台积电的方案并不相同,台积电依然延续之前的FinFET(鳍式场效电晶体)技术。GAA技术号称能够延续“摩尔定律”的新路线,它采用特殊的沟道设计,GA...