汤诚携手智融推出充放电管理芯片SW7201+MOS管电动工具应用方案
38V/110A,RDS(ON)=3.8mΩ(Typ.)@VGS=10VRDS(ON)=5.8mΩ(Typ.)@VGS=4.5V采用Ruichips先进的TrenchTM技术超低导通电阻100%雪崩测试无铅和绿色器件(符合RoHS标准)充放电管理芯片SW7201和MOS管TCS1381N01在电动工具中发挥了互补的作用。SW7201负责优化电池的充电和放电过程,防止过...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
例如FLYBACK中实际电流应是Itotal=Idp1+Ia+Ib(Ia为次级端整流二极管的反向恢复电流感应回初极的电流值--即乘以匝比,Ib为变压器初级侧绕组层间寄生电容在MOSFET开关开通瞬间释放的电流)。这个难以预计的数值也是造成此部分计算误差的主要原因之一。4、关断过程损耗关断过程损耗。指在M...
吃透MOS管,看这篇就够了
上面图中,下边的p型中间一个窄长条就是沟道,使得左右两块P型极连在一起,因此mos管导通后是电阻特性,因此它的一个重要参数就是导通电阻,选用mos管必须清楚这个参数是否符合需求。解释2:n型上图表示的是p型mos管,读者可以依据此图理解n型的,都是反过来即可。因此,不难理解,n型的如图在栅极加正压会导致导通,...
MOS管驱动电流估算
根据I=Q/t,获得了具体MOS管Qg数据,和我们线路的电流能力,就可以获得Ton=Qg/I。比如45N50,它在Vgs=10V,VDS=400V,Id=48A的时候,Qg=105nC。如果用1A的驱动能力去驱动,就可以得到最快105ns的开关速度。当然这也只能估算出驱动电流的数值,还需进一步测试MOS管的过冲波形。在设计驱动电路的时候,一般在MOS管前...
...U专利,能有效抑制浪涌电流和浪涌电压,保护升压芯片和MOS管
奋达科技取得CN220711118U专利,能有效抑制浪涌电流和浪涌电压,保护升压芯片和MOS管,浪涌,瞬态,专利,mos,奋达科技,升压芯片
...稳流双极型电路专利,可以实现快速测试出不同模式下MOSFET管的...
星云股份取得共用MOS管稳压稳流双极型电路专利,可以实现快速测试出不同模式下MOSFET管的通断情况金融界2023年12月5日消息,据国家知识产权局公告,福建星云电子股份有限公司取得一项名为“一种共用MOS管稳压稳流双极型电路“,授权公告号CN109739289B,申请日期为2019年2月(www.e993.com)2024年9月20日。专利摘要显示,本发明提供一种共用MOS管...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
其它标示着时间的曲线则表示MOSFET可以耐受的单个脉冲电流(宽度为标示时间)的能力。单次脉冲是指单个非重复(单个周期)脉冲,单脉冲测试的是管子瞬间耐受耗散功率(雪崩能量)的能力,从这部分曲线来看,时间越短,可以承受的瞬间耗散功率就越大。红色:MOS管所能承受的最大脉冲漏极电流,也是对最大耗散功率进行了限制。
内置高性能全极耳21700电池,闪极170W赛博棱镜移动电源拆解_腾讯新闻
检测电池温度的热敏电阻特写。电池保护板正面粘贴青稞纸绝缘。电池保护板一览,在左侧为连接导线和电池保护管,右侧设有检流电阻,电池保护芯片和均衡MOS管以及均衡电阻。电池保护芯片来自华泰半导体,型号为HTL6037,支持4-7串锂电池或聚合物电池保护,内部集成NMOS驱动电路,可以使用NMOS电池保护管,成本更低性能更好。HTL...
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
解释8:如何工作在放大区Mos管也能工作在放大区,而且很常见,做镜像电流源、运放、反馈控制等,都是利用mos管工作在放大区,由于mos管的特性,当沟道处于似通非通时,栅极电压直接影响沟道的导电能力,呈现一定的线性关系。由于栅极与源漏隔离,因此其输入阻抗可视为无穷大,当然,随频率增加阻抗就越来越小,一定频率时,...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动能力强的特点。但是单片机的io口不能直接驱动MOS管,因为无法提供足够的输出电流,因此想要驱动MOS管,需要在使用低电流驱动的同时再接一个三极管,达到扩充io口输出电流的作...