8种开关电源MOS管的工作损耗计算
Coss为MOSFET输出电容,一般可等于Cds,此值可通过器件规格书查找得到。7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。体内寄生二极管正向导通损耗计算:在一些利用体内寄生二极管进行载流的应用中(例如同步整流),需要对此部分之损耗进行...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
MOS管开关电路MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点...
吃透MOS管,看这篇就够了
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性;上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生...
...通过匹配设置电流镜的电流和MOS管宽长比,使输出电压精确跟随...
源极输出电路包括源极连接一起的第一NMOS管和第一PMOS管;第一偏置电路中,第一差分对管精确跟随输入电压,第二NMOS管的栅源电压和第一差分对管的输出电压叠加构成第一偏置电压,第二NMOS管还和第一NMOS管构成第一比例电流镜;第二偏置电路中,第二差分对管精确跟随输入电压,第二PMOS管的栅源电压和第二差分对...
MOS管烧了,可能是这些原因
MOS管可能会遭受与其他功率器件相同的故障,例如过电压(半导体的雪崩击穿)、过电流(键合线或者衬底熔化)、过热(半导体材料由于高温而分解)。更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿,这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中,可能是在低至10V-15V时发生,电路设计必须将其限制在安全水...
MOS管驱动电流估算
MOS管完全导通之后,输入电压不再经过米勒电容,又继续给Cgs充电直到Vgs等于输入电压10V(www.e993.com)2024年9月20日。图中Vgs输入电压保持不变即Qgd阶段,输入电压不给Cgs充电,而是给Cgd米勒电容充电。这是MOS管固有的转移特性。这期间不变的电压也叫平台电压。此时,MOS管的电流最大,电阻最大,根据P=I*I*R,此时管子消耗的功率最大,发热最严...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
其中Pout为DC/DC电源的最大输出功率,Vmin为最小输入电压,η为DC/DC电源在输入电压为Vmin输出功率为Pout时的效率。η可以在DC/DC电源供应商所提供的数据手册里查到。MOS管的Rds_on必须很小,它所引起的压降和输入电压相比才可以忽略。图10.有源冲击电流限制电路在75V输入...
星宇股份获得发明专利授权:“大电流多输入防倒灌低压降防反接电路...
专利摘要:本发明提供了一种大电流多输入防倒灌低压降防反接电路、LED驱动器和车辆,防反接电路包括分别设置在每个输入通道上的MOS管和对应每个MOS管设置的控制电路,其中,每个MOS管的第一极分别连接到对应的信号源,每个MOS管的第二极连接到一起,控制电路包括:第一分压支路,第一分压支路的一端与MOS管的第一极相连...
MOS管-IC电子元器件
01MOS管特点1、高输入阻抗:MOS管的输入电阻非常高,因此可以减小输入信号源的功耗。2、低输出阻抗:MOS管的输出电阻非常低,可以提供较大的输出电流。3、低功耗:MOS管的静态功耗非常低,几乎不需要电流输入。4、高速度:MOS管的开关速度非常快,可以实现高频率的开关操作。
支持240W大功率,高效转换效率,欧佩捷EVM7010A/B方案演示板解析
而充电头网也在最近获取到了由欧佩捷EVM7010A/B方案构成的240W方案,该方案采用SFC电路拓扑架构,可使得输出电感电流均工作在DCM模式,同时所有的MOS管都是共地驱动,无需高压半桥驱动芯片功能。欧佩捷EVM7010A/B方案EVM7010A和EVM7010B构成的SlingForwardConverter是一款高效的隔离式离线直流-直流变换器,...