中国NAND闪存行业发展趋势研究与投资前景分析报告(2023-2030)
在这种设备中,工作区和栅极间会留有通道供电流通过硅晶片表面,而根据浮置栅极中存储的电荷类型,便可进行存储编程(“1”)和擦除(“0”)信息的操作。同时,在一个单元内存储1个比特的操作被称为单层单元(SLC)。氮化硅内部捕获的电子数量与单元晶体管的阈值电压成正比,因此,当俘获大量电子时,即实现了高阈值电压;捕...
关于发布2024年度国家自然科学基金区域创新发展联合基金项目指南...
围绕电离层/热层光化学、动力学等耦合机理,融合数值和数据分析,应用数据同化、深度学习等前沿技术,研究太阳风暴驱动的电离层/热层多时空尺度物理过程,重点探究中低纬电离层和热层不同类型扰动特征和中小尺度结构区域特性,开展电离层、热层高精度建模预报,服务于北斗精准、连续和实时定位。2.面向生成式人工智能的光电成...
基础研究的内涵、特征与提升路径
科学革命的标志性成果,如日心说、牛顿力学、原子论,以及后来的进化论、相对论与量子力学、DNA双螺旋模型等,都是纯研究的新知识结晶;而工业革命的典型成就,如瓦特蒸汽机、西门子电机、贝塞麦炼钢炉,以及狂犬疫苗、电报机、青霉素药、晶体管器件、电子计算机等,都需要以新知识为发展基础。简言之,人类的科技进步离不开...
关于芯片的8个关键疑问 我们和中科院微电子研究所王晓磊聊了聊丨...
“根据摩尔定律,每隔18个月,器件特征尺寸缩小0.707倍,集成度增大1倍;相应地,单位面积的芯片性能增加15%,功耗降低40%,成本降低35%。”“目前,最先进的晶圆制造量产技术已达3纳米,我国台湾地区台积电和韩国三星均已在2022年实现相关技术。在1平方毫米大小的芯片上,晶体管数量超过1亿个。”王晓磊说。疑问八芯片为...
延续摩尔定律的CFET技术源自北京大学20年前提出的堆叠互补晶体管...
CFET采用Nanosheet结构,将一个p型NanosheetFET叠加在一个n型NanosheetFET之上,形成三维晶体管,可以显著增强晶体管性能,并减小其尺寸。英特尔(Intel)和台积电(TSMC)等产业三巨头适时跟进,CFET成为未来1纳米的发展利器。IEDM2023会议上英特尔(Intel)和台积电(TSMC)将发表有关CFET产业化进展的论文。
论新时代科技园区的作用、要素特征和新趋势
三是建机制搭平台促进创新要素的流动政府通过科技园区形成的载体和优势,促进创新要素的聚集,加速知识价值和产学研成果向市场的有效转化(www.e993.com)2024年8月15日。美国通过订单方式,向硅谷的公司进行政府采购,如1959年,仙童半导体公司获得价值1500万美元的政府订单,为“民兵式”导弹提供晶体管;1963年又获得为“阿波罗”宇宙飞船提供集成电路的合...
大型科普(三)为什么28nm光刻机上多曝也无法做到7nm?
这个长度距离是集成电路所谓的集成度的标志,也是集成电路工艺技术水准的标志,因此它有时候也被称为关键尺寸或者特征尺寸——CDcriticaldimension的缩写。这里补一点MOSFET晶体管的工作原理。栅极上加电压后,两个N型掺杂区域之间会形成导通区域,导通情况下晶体管就能被代表为1,不加电压后关断就可以表示成0,有了0和...
2024 SMM第十二届小金属产业大会圆满落幕!产业发展前景、技术要点...
随着新型电力体系建设的不断深入推进,我国电力供需体系发生显著变化,全国电力供需呈现增长、绿色、调整三大典型特征,非化石能源发电装机容量15.7亿千瓦,占总装机容量比重2023年底首次突破50%,达到53.9%。2023年底,火电依旧是国内所有发电形式中总量最大的,但是增速是最慢的,仅4.3%。可再生能源(水能、风能和太阳能)发电...
功率半导体行业进入壁垒和行业额风险特征分析
3、行业基本风险特征(1)行业周期及宏观经济波动的风险功率半导体器件应用于消费电子、工业制造、新能源、汽车电子、通信运输等国民经济各个领域。功率半导体行业具有一定的周期性,与宏观经济的整体发展密切相关。如果宏观经济波动较大或长期处于低谷,功率半导体行业的市场需求可能发生萎缩,从而影响企业的收入和盈利水平。
工程院院士孙凝晖:中国人工智能发展的道路选择
现代计算技术的发展大致可以划分为三个时代。IT1.0又称电子计算时代(1950-1970),基本特征是以“机”为中心。计算技术的基本架构形成,随着集成电路工艺的进步,基本计算单元的尺度快速微缩,晶体管密度、计算性能和可靠性不断提升,计算机在科学工程计算、企业数据处理中得到了广泛应用。