华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布

在本发明中,其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上,通过在每一所述端头区内的第二浮栅图形的下方添加两个第二有源区图形的方式,增大端头区中有源区的图形密度,优化有源阵列区最边缘有源区的制作工艺环境,进而避免由于端头区中的有源区密度小于有源阵列区中的有源区密度造成的端头区中的最边缘的...

由于NAND闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量

据DigiTimes报道，由于NAND闪存市况不佳，包括三星、SK海力士、美光和铠侠等主要存储器制造商都在考虑减产，以稳定价格。除了调整NAND闪存的产量，存储器制造商还打算将更多的资源投放到DRAM生产上，趁着人工智能（AI）行业需求高涨，以便更多地通过高附加值DRAM产品获利。在2022年下半年至2023年上半年间，由于PC需求下降...

...专利申请:“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器...

证券之星消息,根据企查查数据显示东芯股份(688110)公布了一项国际专利申请,专利名为“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统”,专利申请号为PCT/CN2023/134247,国际公布日为2024年7月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来东芯股份已公布的国际专利申请4个。结合公司2023年年...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量产第9代NAND闪存(V-NAND)。该公司在2022年已经实现了236层的第8代V-NAND闪存的规模化生产。即将推出的第9代V-NAND闪存仍将采用双层NAND闪存堆叠结构,层数将...

潜力股:闪存芯片,半导体存储器领域领导企业

公司亮点：闪存芯片，半导体存储器领域领导企业。题材要点：要点一:传感器兆易创新科技集团股份有限公司在传感器业务方面，专注于新一代智能终端生物传感技术的自主研发与创新。公司致力于人机交互传感器芯片及解决方案的研制与开发，目前提供的产品包括嵌入式传感芯片、电容和光学模式指纹识别芯片，以及自容和互容触摸屏控制...

下半年,存储器价格将面临压力

01存储器价格将在下半年面临压力,消费电子产品需求未如预期回暖(www.e993.com)2024年11月22日。02根据TrendForce调查,2024年第二季度,模组厂在消费类NANDFlash零售渠道的出货量已大幅同比减少40%。03由于通货膨胀、利率攀升等因素冲击消费者支出意愿,消费类内存模组出货持续萎缩。04另一方面,NANDFlash晶圆价格持续上涨,使模组厂运营成本更加艰难...

拓宽存储器封测布局 长电科技44.73亿元收购晟碟半导体迎来新进展

晟碟半导体成立于2006年，位于上海市闵行区，主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型主要包括iNAND闪存模块，SD、MicroSD存储器等。证券时报·e公司记者了解到，晟碟半导体出售方母公司WesternDigitalCorporation（“西部数据”）是全球领先的存储器厂商，自2003年起便与长电科技建立长期合作关系，是其重要客户...

新突破!我国存储器技术-icspec

清华大学南天翔课题组及合作者则提出一种基于磁振子的新型逻辑器件,利用电压原位控制铁酸铋异质结构中的多铁磁振子自旋力矩,从而实现可重构逻辑存储器。复旦团队研发超快闪存集成工艺人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。常见的非易失性存储器包括闪存(FlashMemory)、只读存储器(ROM),以及一些新技术如磁...

江波龙:2024年存储行业谨慎乐观,转型TCM打破存储器厂商“瓶颈”

经历漫长的下行周期后,存储行业逐步迎来复苏。“今年存储行业有望出现类似2021年的‘大年’,目前行业供销两旺,我们持谨慎乐观态度。在2024中国闪存市场峰会(CFMS2024)期间,江波龙资深副总裁、COO王景阳在接受记者采访时表示,人工智能也将带动江波龙业务的发展,而江波龙正向技术合约制造(TCM)模式转型,打破传统存储器厂商...

“鱼与熊掌兼得”,新型相变存储器问世:结合 DRAM 和 NAND 优点...

IT之家4月25日消息,韩国科技先进研究院(KAIST)近日发表论文,成功研发新型相变存储器(phasechangememory,PCM),可以灵活切换结晶(低电阻)和非晶体(高电阻),从而结合DRAM和NAND的优点。DRAM速度快但不稳定,这意味着断电时(例如关闭计算机时)存储在其中的数据就会消失;而NAND闪存即使断电也能保留数据...