再见SRAM,又一传统存储器走向终点,AI芯片大算力瓶颈该如何破局

北京大学集成电路学院院长蔡一茂认为,一方面是器件层面上的瓶颈,一些传统存储器例如SRAM,NandFlash等,由于器件本身微缩性差,支撑芯片制造的尺寸缩小接近物理极限,也就是通常所说的摩尔定律面临失效的风险;其次是架构瓶颈,即计算与存储单元分离带来的数据交换存在存储墙和功耗墙问题。第三则是能耗瓶颈,基于目前器件尺...

闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同,闪存颗粒有很多不同的变种,今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立...

ReRAM,替代闪存的首选

尽管闪存仍然是最流行的非易失性存储器(NVM),但一些应用程序开始采用其他类型的嵌入式NVM技术,因为嵌入式闪存无法超越28nm,也因为其成本、功耗和性能优势。包括电阻式RAM(ReRAM)、相变存储器(PCM)、磁阻式RAM(MRAM)和铁电式RAM(FRAM)在内的存储器提供了替代方案。每种技术在成本、复杂性、功...

TF卡是什么

是一种超小型卡(11*15*1MM),约为SD卡的1/4,可以算目前最小的储存卡了。TF是小卡,SD是大卡,都是闪存卡的一种。TF卡尺寸最小,可经SD卡转换器后,当SD卡使用。利用适配器可以在使用SD作为存储介质的设备上使用。TransFlash主要是为照相手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制TransFlas卡可以用来...

翱捷科技-U申请存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置专利,能在...

金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,翱捷科技股份有限公司申请一项名为“一种存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置”,公开号CN202410398611.X,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种存储与加载闪存存储器的驱动的方法。在便携电子设备的ROM中固化存储针对全体闪存存储器的初始驱动代码,...

手机闪存是什么

闪存,全称为闪存存储器(FlashMemory),是一种非易失性的半导体存储器(www.e993.com)2024年11月22日。与传统的机械硬盘相比,闪存没有机械结构,因此读写速度更快,抗震性能更强。在手机中,闪存主要用于存储操作系统、应用程序以及用户数据等。二、手机闪存的种类1.**eMMC闪存**:eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)是一种嵌入式多媒体卡,它将NA...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。

潜力股:闪存芯片,半导体存储器领域领导企业

公司亮点：闪存芯片，半导体存储器领域领导企业。题材要点：要点一:传感器兆易创新科技集团股份有限公司在传感器业务方面，专注于新一代智能终端生物传感技术的自主研发与创新。公司致力于人机交互传感器芯片及解决方案的研制与开发，目前提供的产品包括嵌入式传感芯片、电容和光学模式指纹识别芯片，以及自容和互容触摸屏控制...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

闪存包括多个存储器单元,多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层,并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例,还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。