华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布

华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布天眼查显示,华虹半导体(无锡)有限公司“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布,申请公布日为2024年6月28日,申请公布号为CN118265290A。本发明提供了一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法,应用于半导体制造技术领域。在本发明中,其在...

由于NAND 闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量

由于NAND闪存市场需求低于预期,主要存储器制造商都在考虑减少产量近日TrendForce发布了新的市场调查报告,称2024年第三季之前,消费型产品终端需求依然疲软,AI服务器支撑起了存储器主要需求,加上HBM排挤现有DRAM产品产能,供应商对合约价格涨幅保持一定的坚持。不过由于智能手机制造商的观望态度,预计第四季度...

闪存颗粒到底是何物?浅析闪存及制程

闪存颗粒,又称闪存,是一种非易失性存储器,即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据,而且是以固定的区块为单位,而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同,闪存颗粒有很多不同的变种,今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立...

TF卡是什么

是一种超小型卡(11*15*1MM),约为SD卡的1/4,可以算目前最小的储存卡了。TF是小卡,SD是大卡,都是闪存卡的一种。TF卡尺寸最小,可经SD卡转换器后,当SD卡使用。利用适配器可以在使用SD作为存储介质的设备上使用。TransFlash主要是为照相手机拍摄大幅图像以及能够下载较大的视频片段而开发研制TransFlas卡可以用来...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量产第9代NAND闪存(V-NAND)。该公司在2022年已经实现了236层的第8代V-NAND闪存的规模化生产。即将推出的第9代V-NAND闪存仍将采用双层NAND闪存堆叠结构,层数将...

...专利申请:“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器...

证券之星消息,根据企查查数据显示东芯股份(688110)公布了一项国际专利申请,专利名为“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统”,专利申请号为PCT/CN2023/134247,国际公布日为2024年7月4日(www.e993.com)2024年11月22日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)...

兆易创新取得3DTLC闪存存储器专利,改善掉电等异常情况下的数据的...

该3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块,所述数据写入方法包括:接收数据写入命令;根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中;在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时,选取一所述三层存储单元存储数据块,并将所述预设数据量...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作金融界3月18日消息,有投资者在互动平台向朗科科技提问:公司主导产品涵盖固态硬盘、内存条、TF卡、闪存盘、移动硬盘,广泛应用于企业级数据中心、智能终端、个人电脑、工业计算机以及信息安全领域。为行业头部企业提供的全闪存服务存储器便由韶关朗科出品,请问是否供应华为的全...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

闪存包括多个存储器单元,多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层,并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例,还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。