经典回顾|赛迪科创“独角兽”观察:中国领先的3D NAND闪存设计制造...

长江存储自主研发的Xtacking技术颠覆了传统NAND闪存架构,实现了高密度、高性能、高可靠性和低功耗的闪存芯片,实现了存储芯片的自主可控,为国产化进程树立了里程碑。存储致力于3DNAND闪存芯片的研发和生产中。2017年,长江存储成功试产了32层3DNAND闪存芯片,成为中国首家掌握3DNAND闪存技术并实现量产的企业。2018年,...

【融资】国产嵌入式存储器厂商合肥康芯威完成近2亿元融资

在UFS产品线上,康芯威“5G时代智能自主UFS3.1存储器系统项目”具有国产产品中最早获取国密算法、单芯片可同时支持eMMC/UFS、完全支持5G频宽,定制化的硬件指令、低功耗设计等特点,解决了UFS3.1这一5G领域国家卡脖子技术难题。与此同时,康芯威的UFS主控芯片拟采用当前最先进的UFS3.1接口,传输速率最高可达2900MB/s,与...

存储芯片第一妖,市占全球前三,业绩大涨236%,或是下个银之杰?

兆易创新:公司主要产品为闪存芯片,半导体存储器领域领导企业,主营产品以NORFLASH等非易失性存储芯片和微控制器MCU芯片为主。紫光国微:公司的主要业务为集成电路芯片设计与销售,包括智能芯片产品、特种集成电路产品和存储器芯片产品,分别由北京同方微电子有限公司、深圳市国微电子有限公司和西安紫光国芯半导体有限公司三...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

展望未来,三星和铠侠(Kioxia)均已公布其研发1000层NAND闪存的计划。三星的目标是在2030年之前研发1000层NAND闪存,铠侠则计划在2031年之前量产超过1000层的3DNAND闪存芯片。DRAM存储器巨头们正聚焦于先进制程节点和3DDRAM技术。2024年3月,美光(Micron)在其财报中披露,目前大部分DRAM芯片都处于1α和1β的先进节...

存储芯片业绩反转悄然而至?存储模组龙头细分产品“卖爆”Q4净利...

财联社3月9日讯（编辑俞琪若宇）AI热潮下存储芯片需求量正迎来明显增长，价格随之持续攀升。SK海力士周四表示，今年将投资10亿美元发展高带宽内存技术。公司曾在2月底宣布HBM内存生产配额全部售罄，24年产销量已达饱和状态，正积极筹备2025年订单。此外，美光科技CEO已对外透露，公司今年HBM产能预计已全部售罄。三星亦称...

存储芯片的江湖

从2022年起，全球存储芯片制造商纷纷调整生产，以适应市场库存调整，促使全球存储供应大幅度缩减，由此在2023年第三季度末，存储晶圆价格出现显著反弹(www.e993.com)2024年11月25日。权威的CFM闪存市场报价显示，2023年第四季度NANDFlash市场综合价格指数大幅攀升42.7%，而DRAM市场综合价格指数也增长了10.7%。近年来，全球半导体产业链历经多次整合与优化...

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮2023下半年,以DRAM和NANDFlash为代表的存储器报价逐步止跌回升。近期,NORFlash也呈现出明显的回暖态势,供应链人士透露,2024年1月,预计NORFlash价格将上涨5%,并保持上涨态势,到第二季度,涨幅将达到10%。过去几年,随着整个半导体市场的变化,NORFlash的供需和价格也是起起落落。

在美起诉半导体巨头,这家中国芯片公司什么来头

成立于2016年的长江存储是国内最大的3DNANDFlash厂商(闪存芯片制造)。民生证券研报指出,截至2020年末,长江存储取得全球接近1%市场份额,成为六大国际原厂以外市场份额最大的NAND晶圆原厂。进击的后来者作为后入局者长江存储为何能会反过来指控巨头美光侵权?这与长江存储的核心武器——Xtacking技术脱不开关系。

下游推动存储芯片需求释放,行业国产化主线确立

RAM(随机存取存储器):快速临时数据存储,用于CPU的运算处理。DRAM(动态随机存取存储器):需要定期刷新电子信息,以维持存储的数据。SRAM(静态随机存取存储器):不需要定期刷新,比DRAM更快但更贵,常见于高速缓存中。②非易失性存储芯片这些芯片即使在没有电源的情况下也能长期保存数据,适用于存储程序代码和用户数据...

“存储芯片”第一龙头,市占率国内第一,32家机构扎堆抢筹,后市有望...

全球存储芯片行业景气度持续提升。从存储芯片最主要的两大类产品DRAM(动态随机存取存储器)和NANDFlash(闪存存储器)来看,根据TrendForce集邦咨询预估数据,2024年第一季度DRAM价格环比增长20%,第二季度增长13%至18%,第三季度将增长8%至13%;NANDFlash第一季度价格环比增长23%至28%,第二季度增长15%至20%,第三季度...