下游推动存储芯片需求释放,行业国产化主线确立
存储控制芯片是存储器产品的核心,负责控制和管理调度,是“中央处理器”和存储颗粒商业化的关键。存储单元是存储颗粒的最小单位,其特性可能导致数据错误或丢失。存储控制芯片通过数据管理和纠错,降低错误概率,增强存储颗粒的可靠性。同时,存储控制芯片能延长存储颗粒寿命,提高数据存储性能。该芯片具备多通道并行管理能...
存储器市场有望起死回生,中国厂商寻求逆周期突破
从232层3DNAND存储器的关键特性及对比分析来看,由于进一步掌握了Xtack技术,长江存储的第四代存储芯片具有更快的I/O传输速度和更高的存储密度。自第二代die以来,堆叠设计与最小化的焊盘和字线间距相结合,使长江存储能够将存储密度提高3.5倍。15.47Gb/s??的232层NAND芯片吊打了三星和美光176层3DNAND,后者分别...
手机参数里的ROM储存空间和RAM运行内存,到底有什么区别?
而RAM的读写速度通常很快,因为它可以直接访问存储在其中的数据。4、数据保存不同ROM中的数据通常是永久性的,即使手机关机或断电,数据也不会丢失。而RAM中的数据是易失性的,当手机关机或断电时,数据会被清除。总结:ROM和RAM是手机中两种不同类型的存储器,它们各自具有不同的功能和特点,对于手机的...
存储器行业专题分析:他山之石,探析模组厂的成长路径
NANDflash模组可分为:1)固态硬盘(应用于大容量存储场景)、2)嵌入式存储(应用于电子移动终端低功耗场景)、3)移动存储(U盘、移动盘等,应用于便携式存储场景)。其内部组成包括:主控芯片,一方面合理调配数据在各个闪存颗粒的负荷,另一方面承担整体数据中转,连接闪存芯片和外部SATA接口。此外,主控...
日本研究团队制造新型碲化铌材料,有望作为相变存储器原材料降低...
IT之家经过查询得知,相变存储器(PCM)是一种“应用相变材料作为储存介质”的存储器技术,相对于当下的闪存,相变存储器通过相变物质的固态、液态转变来保存数据(闪存的写入速度受限于电荷移动速度),因此其读写速度更快、存储密度更高、功耗更低、并且尺寸可以做到更小,但制造相变存储器介质的成本过高,目前相变存储器还停...
IBM 推出 AI 芯片 NorthPole:内置存储器,号称可“模拟人脑运行”
IBM目前推出的NorthPole芯片,相对于传统芯片最大的不同点在于“芯片内置存储器”,在没有“冯??诺伊曼瓶颈”的情况下,NorthPole芯片的AI推论能力优于市面上竞品(www.e993.com)2024年7月29日。NorthPole采用12nm工艺,于800平方毫米上安放了220亿个晶体管,并拥有256个核心,于8-bit精度下每核心每个周期可执行2048次...
算力焦虑有救了:忆阻器(RRAM)存算一体路线再次被肯定
现如今,忆阻器(RRAM)作为存算一体AI计算的存储介质,在AI大算力场景发光发热。例如NORFlash,便是凭借更快的读取速度、可随机访问等特点,在功能机时代夺得一席之地;所以,当功能机时代过去后,NORFlash一度低迷。而当外挂一个高可靠性、快速读取的存储器又成为解决AMOLED面板的蓝色光会随时间消退的问题的最优解,...
Supermicro宣布大规模生产E3.S全闪存服务器组合,配备全新CXL内存...
KIOXIA(铠侠)美国公司SSD业务部副总裁NevilleIchhaporia表示:“配备了KIOXIACM7系列E3.SPCIe5.0固态驱动器的Supermicro新款存储服务器,非常适合需要高性能和容量的工作负载。我们将继续与Supermicro紧密合作,为需要快速访问海量数据的终端用户提供所需要的内存以及速度更快的存储服务器。”...
MRAM,最被看好
与闪存相比,FRAM的优势包括功耗更低、写入速度更快和*读/写耐久性更高,FRAM在+85°C下的数据保存时间超过10年(在较低温度下可长达数十年),但它也有自己的缺点,即存储密度远低于闪存设备,存储容量有限,成本较高,截至2021年,不同供应商销售的芯片的存储大小(密度)不超过16Mb。
存储芯片,中国什么时候能成?
半导体存储器作为电子系统的基本组成部分,是现代信息产业应用最为广泛的电子器件之一。存储芯片种类繁多,大类上,根据数据是否会在断电时消失,半导体存储器被分为易失性存储器(Volatilememory)和非易失性存储器(non-volatilememory)两大类。其中,由于读写速度更快,易失性存储器通常被用以辅助CPU工作,即“内存”...