再见SRAM,又一传统存储器走向终点,AI芯片大算力瓶颈该如何破局

北京大学集成电路学院院长蔡一茂认为,一方面是器件层面上的瓶颈,一些传统存储器例如SRAM,NandFlash等,由于器件本身微缩性差,支撑芯片制造的尺寸缩小接近物理极限,也就是通常所说的摩尔定律面临失效的风险;其次是架构瓶颈,即计算与存储单元分离带来的数据交换存在存储墙和功耗墙问题。第三则是能耗瓶颈,基于目前器件尺...

ReRAM,替代闪存的首选

尽管闪存仍然是最流行的非易失性存储器(NVM),但一些应用程序开始采用其他类型的嵌入式NVM技术,因为嵌入式闪存无法超越28nm,也因为其成本、功耗和性能优势。包括电阻式RAM(ReRAM)、相变存储器(PCM)、磁阻式RAM(MRAM)和铁电式RAM(FRAM)在内的存储器提供了替代方案。每种技术在成本、复杂性、功...

翱捷科技-U申请存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置专利,能在...

在便携电子设备的ROM中固化存储针对全体闪存存储器的初始驱动代码,所述初始驱动代码仅具有单线读命令;在每种闪存存储器中固化存储针对该种闪存存储器的差异化配置信息。便携电子设备上电后,从ROM中将初始驱动代码加载到内存中,随后根据初始驱动代码以单线读命令读取闪存存储器,将闪存存储器的差异化配置信息加载到内存中。

手机闪存是什么

闪存,全称为闪存存储器(FlashMemory),是一种非易失性的半导体存储器。与传统的机械硬盘相比,闪存没有机械结构,因此读写速度更快,抗震性能更强。在手机中,闪存主要用于存储操作系统、应用程序以及用户数据等。二、手机闪存的种类1.**eMMC闪存**:eMMC(EmbeddedMultiMediaCard)是一种嵌入式多媒体卡,它将NA...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。

兆易创新取得3DTLC闪存存储器专利,改善掉电等异常情况下的数据的...

该3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块,所述数据写入方法包括:接收数据写入命令;根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中;在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时,选取一所述三层存储单元存储数据块,并将所述预设数据量...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作金融界3月18日消息,有投资者在互动平台向朗科科技提问:公司主导产品涵盖固态硬盘、内存条、TF卡、闪存盘、移动硬盘,广泛应用于企业级数据中心、智能终端、个人电脑、工业计算机以及信息安全领域。为行业头部企业提供的全闪存服务存储器便由韶关朗科出品,请问是否供应华为的全...

台积电申请非易失性存储器专利,提供具有改进的栅极结构的闪存及其...

闪存包括多个存储器单元,多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层,并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例,还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

潜力股:闪存芯片,半导体存储器领域领导企业

专注于集成电路设计、销售与客户服务，而将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专业的晶圆代工、封装及测试厂商。公司现有产品主要分为存储器产品、微控制器产品和传感器产品三大类别。其中，存储器产品涵盖闪存芯片，如NORFlash和NANDFlash，以及动态随机存取存储器（DRAM）。想了解更多精彩内容，快来关注零和财经...