存储器新技术:FeRAM的高可靠性和无延迟

EEPROM在非易失性存储器市场占有一定地位,但其写入次数有限,通常在百万级,而FeRAM则可支持万亿级的写入次数。高耐久性的FeRAM在电网、表计和医疗监控等场景中具备较大优势。此外,FeRAM的写入速度也远超EEPROM,满足了更高的实时性需求。MRAM是一种基于磁性材料的存储器,与FeRAM相比,MRAM的速度更快、功耗更低,...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM和ReRAM代表了非易失性存储技术领域内的两项重要创新,旨在提供比传统存储解决方案(如SRAM、DRAM和Flash)更高的性能和更小的尺寸。随着便携式系统市场在过去十多年间的迅速扩张,半导体产业对于大容量非易失性存储器(NVM)技术的兴趣日益浓厚。市场对更高效率、更快的内存访问速度及更低功耗的需求,不断推动着NV...

...RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储...

FeRAM和ReRAM代表了非易失性存储技术领域内的两项重要创新,旨在提供比传统存储解决方案(如SRAM、DRAM和Flash)更高的性能和更小的尺寸。随着便携式系统市场在过去十多年间的迅速扩张,半导体产业对于大容量非易失性存储器(NVM)技术的兴趣日益浓厚。市场对更高效率、更快的内存访问速度及更低功耗的需求,不断推动着NV...

铁电铁磁材料的理论突破:Kugel-Khomskii机制与Hund第二定律

铁电铁磁性的发现和理解对各种技术应用具有重要意义。例如,在自旋电子学领域(利用电子自旋进行信息处理),多铁性材料为非易失性存储器件和基于自旋的晶体管提供了可能。控制单一材料中的磁性和电特性提高了器件的功能性和效率。此外,多铁性材料可以用于先进的传感器和执行器,在这些设备中,磁场和电场的耦合可以用于精确...

国内非易失性下一代存储器技术行业各品牌占比分析

据贝哲斯咨询发布的非易失性下一代存储器技术市场调研报告,全球非易失性下一代存储器技术市场规模2023年达到110.44亿元(人民币)。报告结合全球经济政策形势和市场动态,对全球非易失性下一代存储器技术市场做出合理预测,预计至2029年全球非易失性下一代存储器技术市场规模将会达到458.92亿元,以27.53%的复合年增长率增...

AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

FeRAM,即基于电容型的铁电存储器,因其与现有DRAM结构的相似性而最接近产业化应用(www.e993.com)2024年11月17日。它旨在提供非易失性存储解决方案,以结合DRAM的快速访问和低功耗特性,特别适合需要频繁刷新的场景。FeFET,即基于晶体管型的铁电存储器,也是唐克超老师团队的研究重点。这种存储器以其高集成密度、快速操作和低功耗而受到关注。FeFET的...

非易失性内存Express(NVMe)市场消费流行趋势

1.4非易失性内存Express(NVMe)行业产品结构及主要产品类型介绍5.1非易失性内存Express(NVMe)行业主要应用领域介绍第九章全球和中国非易失性内存Express(NVMe)行业…

昂科烧录器支持GOWIN高云半导体的非易失性FPGA GW2AN-UV9XUG256

GW2AN-UV9XUG256是高云半导体晨熙??家族第一代具有非易失性的FPGA产品，内部资源丰富，高速LVDS接口以及丰富的BSRAM存储器资源、NORFlash资源，这些内嵌的资源搭配精简的FPGA架构以及55nm工艺使GW2AN-UV9XUG256FPGA产品适用于高速低成本的应用场合。高云半导体提供面向市场自主研发的新一代FPGA硬件开发环境，支持GW...

华东师大Nat. Commun.:一种铁电鳍式二极管的新型非易失性存储器

海归学者发起的公益学术平台分享信息,整合资源交流学术,偶尔风月华东师范大学段纯刚教授和田博博教授团队提出了一种基于铁电调控的鳍式二极管结构的新型非易失存储器---铁电鳍式二极管(ferroelectricfindiode,FFD)。与目前众多的非易失性存储器相比,这种FFD存储器

兆易创新取得非易失性存储器的数据读取装置及方法专利,可减少非易...

金融界2024年2月20日消息,据国家知识产权局公告,兆易创新科技集团股份有限公司取得一项名为“一种非易失性存储器的数据读取装置及方法“,授权公告号CN107633865B,申请日期为2016年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种非易失性存储器的数据读取装置及方法。该装置包括:读取比较器,用于根据接收到的读取请求,将存储...