华虹半导体“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布

天眼查显示,华虹半导体(无锡)有限公司“闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法”专利公布,申请公布日为2024年6月28日,申请公布号为CN118265290A。本发明提供了一种闪存存储器版图、闪存存储器及其制作方法,应用于半导体制造技术领域。在本发明中,其在不增大闪存存储器版图的端头区的面积的基础上,通过在每一所述...

翱捷科技-U申请存储与加载闪存存储器的驱动的方法与装置专利,能在...

在便携电子设备的ROM中固化存储针对全体闪存存储器的初始驱动代码,所述初始驱动代码仅具有单线读命令;在每种闪存存储器中固化存储针对该种闪存存储器的差异化配置信息。便携电子设备上电后,从ROM中将初始驱动代码加载到内存中,随后根据初始驱动代码以单线读命令读取闪存存储器,将闪存存储器的差异化配置信息加载到内存中。

...专利申请:“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器...

证券之星消息,根据企查查数据显示东芯股份(688110)公布了一项国际专利申请,专利名为“NAND闪存设备中减少空间的编程方法、装置、存储器及系统”,专利申请号为PCT/CN2023/134247,国际公布日为2024年7月4日。专利详情如下:图片来源:世界知识产权组织(WIPO)今年以来东芯股份已公布的国际专利申请4个。结合公司2023年年...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和...

存储器巨头正聚焦于NAND闪存堆叠层的突破,以及DRAM先进制程节点和3DDRAM技术。受人工智能和大数据驱动,数据存储的需求激增,对存储技术的先进性提出了更高要求。在此背景下,存储器巨头之间的技术竞争日趋白热化。NAND闪存主要厂商正聚焦于堆叠层的突破。近期,《韩国经济日报》报道称,三星预计将于本月晚些时候量...

兆易创新取得3DTLC闪存存储器专利,改善掉电等异常情况下的数据的...

该3DTLC闪存存储器包括单层存储单元缓冲数据块和三层存储单元存储数据块,所述数据写入方法包括:接收数据写入命令;根据所述数据写入命令将对应的数据以单层式存储模式写入所述单层存储单元缓冲数据块中;在写入所述单层存储单元缓冲数据块中的数据量为预设数据量时,选取一所述三层存储单元存储数据块,并将所述预设数据量...

长电科技:晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品...

公司回答表示,尊敬的投资者,您好(www.e993.com)2024年11月22日。晟碟半导体主要从事先进闪存存储产品的封装和测试,产品类型主要包括iNAND闪存模块,SD、MicroSD存储器等。感谢您对公司的关注和支持。

朗科科技:暂无供应华为全闪存服务存储器的合作

金融界3月18日消息,有投资者在互动平台向朗科科技提问:公司主导产品涵盖固态硬盘、内存条、TF卡、闪存盘、移动硬盘,广泛应用于企业级数据中心、智能终端、个人电脑、工业计算机以及信息安全领域。为行业头部企业提供的全闪存服务存储器便由韶关朗科出品,请问是否供应华为的全闪存服务存储器?谢谢!

潜力股:闪存芯片,半导体存储器领域领导企业

专注于集成电路设计、销售与客户服务，而将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专业的晶圆代工、封装及测试厂商。公司现有产品主要分为存储器产品、微控制器产品和传感器产品三大类别。其中，存储器产品涵盖闪存芯片，如NORFlash和NANDFlash，以及动态随机存取存储器（DRAM）。想了解更多精彩内容，快来关注零和财经...

下半年,存储器价格将面临压力

目前,国内存储厂商参与生产的存储芯片产业主要分为DRAM(动态随机存取存储器)和NANDFlash(闪存存储器)两大类产品。业内人士表示,存储产品价格的持续上涨主要受两重因素推动,一是数据中心对服务器DRAM的高需求,以及AI手机、AIPC等创新AI终端设备内存配置提升的需求;二是HBM(高带宽存储器)供不应求,推动DRAM买方转为积...

谁是存储器市场下一个“宠儿”?

铠侠在SCM领域主要聚焦XL-FLASH闪存方案，与所有闪存一样，XL-FLASH能够在断开电源时保留数据，此外它还具有极低延迟、高性能特性，能填补易失性存储器（如DRAM）和当前闪存之间存在的性能缺口，2022年铠侠推出了可支持MLC模式的第二代XL-FLASH。随着铠侠再次重视SCM业务，业界认为铠侠SCM研究将集中在MRAM、ReRAM...