AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和易失性的新型存储器以及基于新型材料的存储器技术,正加速新型存储器的创新之路,如自旋磁存储器MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、阻变存储器RRAM(ResistiveRandomAccessMemory)、相变存储器PCM(phasechangememory)、铁电存储器FeRAM(FerroelectricRAM)等。MRAM,自旋...

获深创投青睐,无锡“海归三剑客”研发出全球唯一产品

舜铭存储总部位于无锡市新吴区，在美国湾区设有设计中心，上海设有材料研发中心。公司以技术为先导，发明专利申请90多项，实用新型4件，获得授权35项。新型铁电存储器能承受高温、辐射，具备纳秒级高速读写水平和高达万亿次读写耐久度，低功耗、低成本，它既继承了传统FRAM的优势，又几乎完美地解决了传统FRAM的不足。

深创投、牧野投资、黑橡树资本联合投资舜铭存储

近日，新型铁电存储器研发商舜铭存储完成了A轮融资，投资方为深创投、牧野投资、黑橡树资本。此轮融资将用于推动新型存储技术的芯片设计及研发。舜铭存储成立于2023年，专注于新型存储技术的芯片设计。公司已成功研发铁电存储器，采用High-K材料，解决了传统铁电存储器与晶圆厂的兼容问题，并首次实现利用非专用晶圆厂...

舜铭存储公布A轮融资,投资方为黑橡树资本、深创投等

舜铭存储实现了第一颗国产铁电存储器的量产,也是全球唯一的新型铁电存储器产品的供应商。客户应用涵盖打印机耗材,电力仪表,工业控制,医疗电子,汽车电子等众多领域。公司基于新型铁电存储(FRAM)工艺,结合公司全球领先的技术和材料优势,致力于持续丰富产品的布局,扩大产品的应用领域,逐步发展成为国内乃至全球领先的存储芯片...

无锡舜铭存储科技有限公司

无锡舜铭存储科技有限公司研发的具有完全自主知识产权的非易失性铁电存储器“FRAM”,在材料上创新性使用无污染材料的材料,可以共用正规Fab里的CMOS生产线,经济和快速地把产品推向市场;在工艺和设计上创新性采用3D架构,极大提升存储密度。该新型铁电存储器不但具有一般铁电存储器的优良性能,而且由于使用了新型的High...

高速高容量铁电存储器有望诞生

欢迎登录wap地址院kxsb.ibidu袁免费下载阅读叶科学时报曳手机版遥高速高容量铁电存储器有望诞生本报讯近日,复旦大学信息科学与工程学院微电子学系教授江安全在高密度铁电阻变存储器(Fer-ro-RRAM)的研究中取得重大进展,他带领的研究小组与中科院物理所,首尔大学,剑桥大学等...

Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN综述

因此,迫切需要可替代铁电材料。幸运的是,纯相铁电体AlScN具有比其他传统铁电体大几倍的Pr和Ec值。AlScN的铁电性在1100℃时保持稳定。此外,在已知的铁电材料中,AlScN具有最低的介电常数。低介电常数铁电层可以减少非铁电层的电压共享,有利于增加铁电存储器的感测裕度和耐久性(图2)。

华东师大Nano-Micro Letters:面向存储和存算一体的新型铁电AlScN...

为了突破这些瓶颈,近年来出现了NVIDIA的多核图形处理器(GPU)和谷歌的张量处理器(TPU),以及基于非易失性存储器(NVM)的存内计算(IMC)技术(图1b)。铁电存储器(FeM)器件由于低功耗、高运行速度和优秀的疲劳特性,在IMC应用方面具有独特优势(图1c)。图1(a)VonNeumann体系结构中的内存和CPU。(b)提高算力的技术...

江苏微导纳米科技股份有限公司

未来存储器的技术迭代包括进一步发展功耗低、速度快、容量大、记忆时间长的各类新型存储器,如铁电存储器(FeRAM)、阻变存储器(RRAM)等,其所具有的特殊材料和存储结构可在多方面提升存储器性能,也相应的需要更为尖端的薄膜沉积工艺作为支撑。FeRAM结构示意图...

微导纳米2023年年度董事会经营评述

2023年,公司研发投入3.08亿元,占收入比例超过18.34%,其中约50%投向半导体领域。公司半导体领域研发投向包括逻辑、存储、新型显示器、化合物半导体等项目;光伏领域研发投向包括TOPCon、XBC、钙钛矿/钙钛矿叠层电池等新一代高效电池技术等项目。在持续强化技术壁垒的同时,公司高度重视技术保护工作,完善专利布局。报告期内,...