联华电子取得静态随机存取存储器装置专利

金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,联华电子股份有限公司取得一项名为“静态随机存取存储器装置”的专利,授权公告号CN112530491B,申请日期为2019年9月。本文源自:金融界作者:情报员

起底RAMXEED:一场关于铁电随机存储器(FeRAM)的革

而FeRAM(铁电随机存取存储器FerroelectricRAM),也称为FRAM(FRAM是Ramtron、Cypress、Infineon的注册商标,富士康注册为FeRAM)。FRAM并非使用铁电材料,只是由于存储机制类似铁磁存储的滞后行为,因此得名。FeRAM同时结合了易失性存储器、非易失性存储器的特点。首先,FeRAM的读写速度达到纳秒级,远超NORFlash和EEPROM;...

上海积塔半导体申请静态随机存储相关专利,增加读模式下晶体管驱动...

金融界2024年11月15日消息,国家知识产权局信息显示,上海积塔半导体有限公司申请一项名为“静态随机存储单元以及静态随机存储器”的专利,公开号CN118942509A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明提供了一种静态随机存储单元,包括由第一上拉晶体管和第一下拉晶体管组成的第一CMOS反相器,由第二上拉晶...

一文读懂 嵌入式系统外设器件的类型及其选择

另一种常见的存储器则是随机存取存储器(RAM),RAM是一种易失性存储器,用于临时存储程序执行所需的数据。它具有快速的读写速度,但系统重置或断电后会失去存储的数据。在嵌入式系统中,常见的RAM类型包括SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)。EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)则是一...

深科技涨4.03%,成交额22.70亿元,人气排名43位!后市是否有机会?附...

4、2024年半年报:在半导体封测业务领域,公司主要从事高端存储芯片的封装与测试,产品包括DRAM、NANDFLASH以及嵌入式存储芯片,具体有双倍速率同步动态随机存储器(DDR3、DDR4、DDR5)、低功耗双倍速率同步动态随机存储器(LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5)、符合内嵌式存储器标准规格的低功耗双倍速率同步动态随机存储器(eMCP4)等。

华大九天涨4.83%,成交额17.72亿元,近3日主力净流入1.04亿

针对存储电路设计，该系统支持包括但不限于静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器以(DRAM)及闪速存储器(Flash)、磁随机存取存储器(MRAM)等多种类型的存储芯片设计(www.e993.com)2024年11月23日。在设计存储电路时，需综合考虑数据的读写速度、功耗、可靠性及集成度等多方面因素，公司提供的存储电路全定制设计全流程EDA工具系统，提供从电路...

永安行跨界收购智能农机公司,收购标的上海联适半年前IPO折戟

虽然永安行的业务主要集中在共享出行,但是从2018年公司就布局氢能产业、PMRAM(压磁随机存储器)新型存储芯片。在氢能产业上,永安行建立了氢能自行车设计中心及组装生产线、燃料电池研发中心及智能化生产线等,完成了全产业链的布局,同时公司共享氢能自行车系统已经在江苏常州、上海临港(10.820,-0.16,-1.46%)等地运营。

【关注】晶合集成:拟受让合肥城投2.4亿元大额存单产品;

EUV技术的可扩展性具有持续的成本效益,有望使客户进一步从多重曝光转向使用低数值孔径(0.33NA)EUV和高数值孔径(0.55NA)EUV的单次曝光工艺,以支持先进逻辑和动态随机存取存储器(DRAM)的发展。因此,ASML预计在2025-2030年间,先进逻辑和动态随机存取存储器(DRAM)对EUV光刻设备需求的年复合增长率将达到两位数。

先进存储价格“水涨船高” 2025年有望延续增长趋势

存储芯片价格自去年第三季度触底反弹以来,一路上扬。两大产品DRAM(动态随机存取存储器)和NANDFlash(闪存存储器),累计涨幅达到60%至70%,其中50%至60%的涨幅在今年实现。“从DRAM来看,价格经过前期的回升,今年第四季度已观察到下跌迹象,预计第四季度环比下滑3%至8%。”吴雅婷表示。

上海贝岭: 上海贝岭2023年年度报告

??????????????????????非易失性存储器,简称??NVM,是指存储器所存储的信息在电源关掉之??????????????????????后依然能长时间存在,不易丢失。传统的非挥发性存储器主要有可擦??非挥发存储器??指??????????????????????写可编程只读存储器(EPRO...