基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
根据设计任务中的设计系统框图描述,设计的核心任务是具体实现受控开关(controledswitch)的条件动作,另外为了不影响电源的利用效率,考虑用高输入电阻的器件来实现受控开关的功能,使电源和负载不被旁路分流,比如利用比较器驱动MOS管来控制电路的通断。值得一提的的是,MOS管饱和导通后,漏源极(DS)之间的压降及损耗很小,...
在寻找功率器件?不如先了解下龙腾历年拆解案例
龙腾半导体LSGC15R085W3是一颗耐压150V,连续漏电流120A的VDMOS,导阻为7mΩ,这款MOS管采用龙腾半导体SGT技术,优化Coss和Rdson,更大程度的降低开关损耗和导通损耗,降低温升,支持高开关频率,100%通过雪崩测试,器件无铅无卤素,适用于电机驱动、电池管理和适配器/充电器等场景应用。1、拆解报告:SHARGE闪极100W3C1A...
开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗
开关损耗另一个意思是指在开关电源中,对大的MOS管进行开关操作时,需要对寄生电容充放电,这样也会引起损耗。三、MOS管损耗的8个组成部分在器件设计选择过程中需要对MOSFET的工作过程损耗进行先期计算(所谓先期计算是指在没能够测试各工作波形的情况下,利用器件规格书提供的参数及工作电路的计算值和预计波形,套用公式...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
截止损耗,指在MOSFET完全截止后在漏源电压VDS(off)应力下产生的漏电流IDSS造成的损耗。截止损耗计算:先通过计算得到MOSFET截止时所承受的漏源电压VDS(off),在查找器件规格书提供之IDSS,再通过如下公式计算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)说明:IDSS会依VDS(off)变化而变化,而...
MOS管损耗的8个组成部分
MOSFET的工作损耗基本可分为如下几部分:1导通损耗Pon导通损耗,指在MOSFET完全开启后负载电流(即漏源电流)IDS(on)(t)在导通电阻RDS(on)上产生之压降造成的损耗。导通损耗计算先通过计算得到IDS(on)(t)函数表达式并算出其有效值IDS(on)rms,再通过如下电阻损耗计算式计算:...
MOS管功率损耗竟然还可以这么测
图2开关管实际功率损耗测试1.2MOSFET和PFCMOSFET的测试区别对于普通MOS管来说,不同周期的电压和电流波形几乎完全相同,因此整体功率损耗只需要任意测量一个周期即可(www.e993.com)2024年9月9日。但对于PFCMOS管来说,不同周期的电压和电流波形都不相同,因此功率损耗的准确评估依赖较长时间(一般大于10ms),较高采样率(推荐1G采样率)的波形捕获,...
干货|MOS管损坏之谜
器件正常运行时不发生的负载短路等引起的过电流,造成瞬时局部发热而导致破坏。另外,由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时,持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。第三种:内置二极管破坏在DS端间构成的寄生二极管运行时,由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行,导致此二极管破坏的模式。
干货|内阻很小的MOS管为什么会发热?
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFCMOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?1、功率损耗的原理图和实测图一般来说,开关管工作的功率损耗原理图如图1所示,主要的能量损耗体现在“导通过程”和...
贴片MOS管驱动电路的性能直接决定了电源效率
贴片MOS管在不考虑EMI和纹波要求的情况下,可以更快更好地实现MOS管快速切换,因为开关损耗在开关电源总损耗中占很大比例,因此MOS管驱动电路的性能直接决定了电源效率。对MOS管来说,如果将两个GS之间的电压从0拉至管子开启电压的时间越短,MOS管打开的速度就越快。同样,假如MOS管的GS工作电压从开启就就降...
干货|如何让MOS管快速开启和关闭?
如果不考虑纹波、EMI和冲击电流等要求的话,MOS管开关速度越快越好。因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分,因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。怎么做到MOS管的快速开启和关闭呢?对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS...