华为中科院联合开发基于IGZO的3D DRAM CAA晶体管,有望克服传统1T1...
2022年6月2日 - 电子工程专辑
受限于传统计算器体系的冯-诺依曼架构,存储器带宽与计算需求之间的存储墙问题日益突出,HBM(HighBandwidthMemory,高带宽存储器)的出现是DRAM从2D架构转向3D架构的突破,它是非平面类型,具有立方体/长方体形式的3D形状。存储芯片堆叠形成立方体结构,占用空间更小、功耗更低、带宽更高,因此可以放置在GPU附近取代传...
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受限于传统计算器体系的冯-诺依曼架构,存储器带宽与计算需求之间的存储墙问题日益突出,HBM(HighBandwidthMemory,高带宽存储器)的出现是DRAM从2D架构转向3D架构的突破,它是非平面类型,具有立方体/长方体形式的3D形状。存储芯片堆叠形成立方体结构,占用空间更小、功耗更低、带宽更高,因此可以放置在GPU附近取代传...