NorFlash、NandFlash 和 eMMC 的比较

Ⅰ闪存的种类1.1NOR闪存NOR闪存是当今市场上的两大主要技术之一。英特尔于1988年率先开发出NOR闪存技术,在闪存失硬领域中,使EPROM(电可擦可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的位置降级。然后,东芝在1989年发布了NANDFlash结构,强调降低每比特成本,并且具有更高的性能,并且可以像磁盘一样通过接...

存储芯片利好密集催化!龙头8天6板,A股上市公司闪存产品产能、市场...

存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种，其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。据财联社VIP盘中宝·数据栏目此前对存储芯片公司产品和产能的梳理，存...

什么是3D XPoint?为什么它无人能敌却又前景堪忧?

3DXpoint技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术。据悉,3DXpoint的延迟速度仅以纳秒计算,比NAND闪存速度提升1000倍,耐用性也更高,使得在靠近处理器的位置存储更多的数据

icspec干货 | STM32芯片的内部架构

DMA总线DMA总线也主要是用来传输数据,这个数据可以是在某个外设的数据寄存器,可以在SRAM,可以在内部FLASH。因为数据可以被Dcode总线,也可以被DMA总线访问,为了避免访问冲突,在取数的时候需要经过一个总线矩阵来仲裁,决定哪个总线在取数。内部的闪存存储器Flash内部的闪存存储器即FLASH,编写好的程序就放在这个地方。

数字存储完全指南 03|固态硬盘的历史、结构与原理

闪存分为两个类型,平时我们或许听过NAND和NOR闪存就是指这两个类型,从名字就可以看出它们是用原理对应的逻辑门来命名的,具体原理下面会讲。简单来讲就是之前那些ROM必须完全擦除才能重写,速度又慢又浪费寿命,而闪存可以做到按块/页进行擦除,写入和读取,而且可以做到很快速的擦除,闪存的名字是按照发明者...

使用SWD和OpenOCD对 Xbox 手柄的硬件调试与逆向分析

这些AP均由64个32位寄存器组成,其中一个寄存器用于标识AP的类型(www.e993.com)2024年11月22日。AP的功能和特性决定了如何访问和利用这些寄存器。你可以在此处找到有关某些标准AP的有关这些交易的所有信息。ARM接口规范默认情况下定义了两个AP,它们分别是JTAG-AP和MEM-AP,MEM-AP还包括用于与其连接的组件的发现机制。

对nRF52840片上系统的硬件调试与漏洞研究(part1)

在nRF51上,一旦启用RBPCONF保护,则使用调试器直接访问Flash或RAM只会返回零。但是,仍然可以控制代码的执行以及对寄存器(甚至程序计数器)的读写。因此,在受保护的内存中找到一个“gadget”,例如一条简单的加载字指令,即从某个寄存器中的地址读取内存到另一个寄存器,就足以提取整个固件。因此,可以物理访问基于nRF51的...

电子行业中期策略:AI驱动,重视自主可控和景气周期反转

存储芯片是半导体核心元器件之一,根据其性质可划分为不同的类型。按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内,存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种,其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM);非易失性存储器主要包括可编程只读存储器(PROM),闪存存储器(Flash)和可擦除可编程...

STM32F系列向G系列切换应用总结—Boot mode及Option byte

检查FLASH_SR寄存器的BSY位,当BSY为0时,表示没有其他正在进行的闪存操作,否则需要等待;解锁FLASH_CR寄存器,向FLASH_KEYR寄存器写入KEY值;解锁FLASH_OPTR寄存器,向FLASH_OPTKEYR寄存器写入KEY值;将FLASH_CR寄存器OPTSTRT置1,表示开始修改Optionbyte;...

鸿蒙发布,华为老兵为你细数一部华为操作系统28年史

为了能实现整个系统的快速复位重启,大徐使用了FLASH闪存技术,在备份的MPU的闪存上先LOAD上新版本的主机软件,重启该MPU,然后进行主备MPU切换,一秒钟整个系统就复位成功了,堪称“光速”!这个技术,老戴后来卖移动GSM的时候也经常吹捧。老戴有个邹姓同班同学,97年毕业到中兴通信做程控交换机内核的开发,中兴上市前突击分...