从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
主要考虑的发热是第1和第3点,许多mos管具有结温过高保护,所谓结温就是金属氧化膜下面的沟道区域温度,一般是150摄氏度,超过此温度,mos管不可能导通,温度下降就恢复,要注意这种保护状态的后果。但愿上述描述能通俗的理解mos管,下面说说几个约定俗成电路:1:pmos应用一般用于管理电源的通断,属于无触点开关,栅极低电...
“把脉体检” 电缆运检工守护万家灯火
电缆沟道内高度不足1.8米,两侧放满了电缆,空间狭小。此时,沟道内的温度已达到36℃以上,湿度更是超过了70%。在这种环境下进行巡检作业就像是在蒸桑拿,不到十分钟,两人就大汗淋漓,工服全被汗水浸透。据了解,度夏期间,电力部门增加高温特巡特护频次,电力人员冒着酷暑为电力设施“把脉体检”,确保电网安全稳定...
重要地理名词和易混名词解读!建议收藏!区域地理位置特征描述综合...
当地面的热量收入(主要是太阳辐射和大气逆辐射)大于热量支出时,地面存储的热量增多,地面温度升高,地面辐射增强,大气吸收地面辐射后,气温随之升高。反之,当地面热量收入小于热量支出时,地面储存的热量减少,地面温度下降,地面辐射减弱,气温随之下降。逆温,这里指辐射逆温。夜间因地面(雪面或冰面、云层顶部等)的强烈辐射...
SiC IGBT研究进展与前瞻|igbt|sic|半导体|晶体管|栅极|电阻_手机...
在研究器件栅漏电的测试中发现,当温度超过100℃时,器件出现了栅极漏电,该漏电会随着发射极-集电极偏压的增加而降低,这预示着在高温下,槽栅结构IGBT器件在槽栅底部边角处可能会存在漏电路径。器件在不同温度下的输出特性曲线及栅极漏电情况如图4所示。打开网易新闻查看精彩图片SINGH还比较了400℃下沟...
功率半导体科普:MOSFET|晶体管|mosfet|电容|栅极_网易订阅
(2)根据不同的工艺又分为TrenchMOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内;SGT(SplitGate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内;SJMOS:超结MOS,主要在高压领域600-800V;在开关电源中,如漏极开路电路,漏极原封不动地接负载,叫开路漏极,开路漏极电路中不管负载接多高的电压,都能够接通和关断负载电流。是理想...
山晚早新闻丨山洪预警!地质灾害预警!山西这些地方的人今天注意;首...
请上述地区有关单位和部门做好实时监测、防汛预警和转移避险等工作;广大群众安排好生产生活,远离边山峪口,避开山洪沟道,注意防范洪水威胁(www.e993.com)2024年7月11日。山西省自然资源厅和山西省气象局8月12日17时12分联合发布地质灾害气象风险预警:受较强降水影响,预计未来24小时,忻州市河曲县、偏关县、吕梁市柳林县等地部分区域地质灾害气象...
MOS管知识最全收录|mos|栅极|三极管|电阻|电容_网易订阅
3、N沟道耗尽型场效应管原理N沟道耗尽型MOS管的结构与增强型MOS管结构类似,只有一点不同,就是N沟道耗尽型MOS管在栅极电压VGS=0时,沟道已经存在。这是因为N沟道是在制造过程中采用离子注入法预先在D、S之间衬底的表面、栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子,该沟道亦称为初始沟道。
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战
其次,碳纳米管作为直径1nm左右的准一维超薄体,其本征量子电容较小,容易被栅极调控,因此其载流子屏蔽自然长度较小,有利于抑制晶体管的短沟道效应。综合来看,碳纳米管相比于体型半导体更易于降低器件的工作电压和能耗:实验研究表明碳纳米管晶体管的工作电压甚至可降低到0.6V以下[18],动态功耗随之大幅降低;又由于碳纳米...
案与安全 | 触电瞬间 全身冒白烟 工友想救却…
6.窗户和空气进、出口是否设有筛网防止小动物进入;7.室内通风是否良好,最高排风温度不能超过45℃;8.是否设置内、外部防雷装置;9.室内是否清洁、无杂物,严禁存放生活用品;10.对设备检修时,是否切断电源并悬挂“禁止合闸,有人工作”警示牌三、发电机房...
《浙江省工贸企业危险化学品使用安全管理指南(试行)》发布
7.6甲、乙类危险化学品运输车辆不得在仓库、堆场内装卸。进入甲、乙类易燃易爆物品库房、堆场的机动车辆应符合防爆要求。各种机动车辆装卸物品后,不准在库区、库房、货场内停放或修理。7.7卸车时应轻拿轻放,禁止使用铲车、翻斗车等装卸、搬运易燃易爆危险化学品。