兆易创新“一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置”专利公布
本申请公开了一种半导体存储结构及其制作方法、存储装置,该半导体存储结构包括:衬底,衬底的上表面上形成有沟槽;第一氧化层,形成于沟槽内,第一氧化层覆盖沟槽的侧壁和底壁;浮栅,形成于沟槽内,浮栅的上表面低于衬底的上表面;控制栅,形成于沟槽内,控制栅的上表面低于衬底的上表面;漏源区,形成于沟槽的两侧。通过上述...
晶合集成申请一种半导体结构及其制作方法专利,能够提高集成电路的...
所述半导体结构包括:衬底,包括密集区和稀疏区;第一介质层,设置在衬底上;第一金属层,设置在第一介质层内,第一介质层和第一金属层在所述稀疏区上的表面低于在所述密集区上的表面;第二介质层,设置在第一介质层和第一金属层上,所述第二介质层在所述稀疏区上的表面低于在所述密集区上的表面;牺牲氮化层,设置在...
全磊光电取得一种半导体激光器及其制作方法专利,减小了激光器的...
专利摘要显示,本申请公开了一种半导体激光器及其制作方法,所述制作方法包括:提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面;所述第一表面具有多个依次排布的器件区;相邻两个所述器件区之间具有隔离区;在所述隔离区的表面内形成深沟槽;在所述器件区的表面上形成外延层,基于所述深沟槽导致的外延生长速...
浙江驰拓申请半导体器件的制作方法以及半导体器件专利,保证了...
专利摘要显示,本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括:首先,获取第一保护层与第一金属层以及MTJ存储单元的尺寸关系,得到关系式,并根据关系式、第一金属层的预计尺寸以及MTJ存储单元的预计尺寸,确定第一保护层的厚度为目标厚度;然后,提供包括第一介质层以及位于第一介质层的部分表面上的MTJ存储...
新洁能获得发明专利授权:“一种功率半导体器件及其制作方法”
证券之星消息,根据企查查数据显示新洁能(605111)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种功率半导体器件及其制作方法”,专利申请号为CN201911305486.9,授权日为2024年8月2日。专利摘要:本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种功率半导体器件,包括半导体基板,半导体基板被划分为元胞区和终端保护区,元胞区位于半导体基板...
把两块芯片压成一块:EUV以来半导体制造的最大创新
两个团队都使用等离子蚀刻来切割芯片,而不是使用常用的锯切法(blade)(www.e993.com)2024年9月19日。与锯切法不同,等离子蚀刻不会导致边缘碎裂,从而产生可能干扰连接的碎片。它还允许Imec团队对芯片进行塑形,制作chamferedcorners,以减轻可能破坏连接的机械应力。ECTC的几位研究人员表示,CoW混合键合对于高带宽存储器(HBM)的未来至关重...
联赢激光:半导体子公司制作固晶机、贴片机、激光划线机等产品...
联赢激光:半导体子公司制作固晶机、贴片机、激光划线机等产品,主要服务于光通讯、IGBT、泵浦源、微波组装等行业,光通讯,固晶机,贴片机,划线机,igbt,联赢激光,微波组装,半导体设备,半导体行业
晶合集成申请一种半导体器件的制作方法专利,能够控制金属栅极的...
专利摘要显示,本发明公开了一种半导体器件的制作方法,属于半导体技术领域。所述制作方法包括:提供一衬底,在所述衬底上形成伪栅极,所述伪栅极的栅极材料层包括无定型碳氮层;在所述伪栅极两侧形成侧墙结构;在所述侧墙结构远离所述伪栅极一侧的所述衬底内形成重掺杂区;在所述重掺杂区上形成金属硅化物层;在所述衬底...
光刻技术的过去、现在与未来
材料与制作工艺:掩模制作所使用的材料和制作工艺应当符合图案传输的要求。耐用性、稳定性和可重复性是选择材料和工艺的重要因素。3.光刻技术的应用与发展现状3.1芯片制造中的应用与进展光刻技术在芯片制造领域一直发挥着关键作用。随着半导体工业对微小结构需求的不断增加,光刻技术的发展持续推动着芯片制造技术的...
安泰科技:钨钼制品可应用于制作半导体材料关键设备石英连熔炉
钨钼制品可应用于制作半导体材料关键设备石英连熔炉金融界6月14日消息,有投资者在互动平台向安泰科技提问:公司的石英连熔材料产品,应用在半导体行业的哪些细分领域?公司回答表示:公司生产的钨钼制品可以应用于制作石英连熔炉,石英连熔炉是生产的半导体材料的关键设备。本文源自:金融界AI电报作者:公告君...