东芝等发布40nm CMOS、高频双极晶体管使用TCAD的应用事例
高阶表示,提取双极晶体管模型参数时,以往很少使用TCAD。原因是TCAD基本上是二维模拟,无法准确反映双极晶体管中十分重要的三维效果。比如,对高频特性影响较大的集电极基极间接合容量,因进行二维处理时不包含侧壁容量,因此会比实际容量小20%左右。此次,通过使用美国新思科技的三维TCAD,得以将侧壁容量放入集电极基极间接...
前瞻全球产业早报:欧洲eVTOL制造商Lilium亚太地区总部落址深圳宝安
6月12日,美图发布MiracleVision(奇想大模型)V5版本,三款AI工作流产品站酷设计服务、奇觅、MOKI同步发布,分别面向设计、广告制作投放、视频生成场景。AI短片制作平台MOKI将于7月31日上线。安森美推出最新的第七代IGBT模块近日,安森美发布第七代1200VQDual3绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块。与其他同类产品相比,该模...
新书上架!德国高级工程师撰写《电子电路版图设计基础 》
6.3.1场效应晶体管(MOSFET)1696.3.2电阻1736.3.3电容1756.3.4双极型晶体管1776.4单元生成器:从参数到版图1796.4.1概述1796.4.2示例1806.5对称的重要性1826.5.1绝对精度和相对精度:巨大的区别1826.5.2通过匹配器件获得对称性1836.6版图匹配概念1846.6.1内部器件边缘效应的匹配概...
基础知识之SPICE
具体方式为根据“基尔霍夫电流定律、电压定律”使利用修正节点法输入的电路方程式化(生成),并将表示元件工作的理论、实验方程式(称之为元器件模型)组合起来求解。元器件模型基于理论或试验性的考察开发的分析式可模拟的元件和要素如下。无源元件(电阻、电容器、电感器等)有源元件(二极管、双极晶体管、MOSFE...
半导体芯片,到底是如何工作的?
实现上面这些逻辑门功能的电路,就是逻辑门电路。而单向导电的电子管(真空管),可以组建变成各种逻辑门电路。例如下面的“或门电路”和“与门电路”。A、B为输入,F为输出█晶体管电子管高速发展和应用的同时,人们也逐渐发现,这款产品存在一些弊端:...
功率半导体IGBT行业科普
(2)IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件(www.e993.com)2024年9月11日。下图显示了一种N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。IGBT是一个三端器件,正面有两个电极,分别为发射极(Emitter)和栅极(Gate)背面为集电极(Collector)。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压...
4万亿个晶体管,单机可训练比GPT4大10倍的模型,最大的芯片面世
此次发布的WSE-3是专为训练业界最大的AI模型而打造的,基于5纳米、4万亿晶体管的WSE-3将为CerebrasCS-3人工智能超级计算机提供动力,通过90万个人工智能优化的计算核心,提供每秒125petaflops峰值AI性能(1petaflops是指每秒1,000,000,000,000,000(1万亿)次浮点运算)。WSE-3...
微软推出首款自研大模型 AI 芯片!台积电 5nm、1050 亿颗晶体管...
Maia100是微软为微软云中大语言模型训练和推理而设计的第一款人工智能(AI)芯片,采用台积电5nm工艺,拥有1050亿颗晶体管,针对AI和生成式AI进行了优化,支持微软首次实现的低于8位数据类型(MX数据类型)。微软已经在用搜索引擎Bing和OfficeAI产品测试该芯片。
清华团队提出半导体器件物理新理论,将场效应晶体管模型计算速度...
通过QFLPS理论,他们证明提出的理论公式满足若干必要的对称性,并利用这些对称性依次研究了双极型晶体管及基于此的逻辑反相器工作模式,首次从理论上导出了基于二维材料晶体管的逻辑反相器的最大电压传输增益。图|根据QFLPS理论设计新器件(来源:PhysicalReviewApplied)...
有机场效应晶体管(OFET)的分子水平器件模型|NSR综述
然而在对OFET进行研究时,目前人们普遍使用的仍是针对无机场效应晶体管开发的器件模型,忽略了有机和无机半导体在电荷传输机制上的重大差异,发展OFET专属的分子模型迫在眉睫。近日,美国亚利桑那大学的李浩源博士和Jean-LucBredas教授在《国家科学评论》(NationalScienceReview,NSR)发表了题为“Developingmolecular-leve...