第三代半导体掀起全球扩产潮
第三代半导体主要指具有宽带隙特性(注:带隙主要指是指半导体材料中电子从价带跃迁到导带所需的最小能量,大于2.5eV为宽带隙,硅的带隙约为1.1eV,锗为0.66eV)的半导体材料,因此又称宽禁带半导体,主要包括碳化硅(SiC,带隙为3.2eV)、氮化镓(GaN,,带隙为3.4eV)。与第一代半导体硅(Si)和第二...
第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质...
第三代超导-半导体复合器件制备工艺——一种同时实现原子级异质界面以及能带调控的通用型方法|进展金属-半导体的异质界面对现代电子器件的性能起着至关重要的作用。当半导体和金属接触时,界面处的能带弯曲情况极大地影响了接触(电阻)的性质;它的细节,比如欧姆接触还是具有肖特基势垒,导致不同的电荷密度和电场分布,控...
微导纳米获32家机构调研:第三代半导体是公司半导体领域内的主要...
答:第三代半导体是公司半导体领域内的主要布局方向之一,目前公司相关产品已取得了多家知名客户的订单,可应用于第三代化合物半导体功率器件领域,保证器件具有良好的漏电和击穿性能,具有广阔的市场前景。未来,公司的目标是抢占该领域内市场发展的制高点。问:公司在新型显示领域内的产品、前景如何?答:在新型显示领域,公...
第三代半导体发展现状及未来展望
第三代半导体迅速进入微波射频的研发和应用领域,尤其是GaN射频器件,以其特有的高功率、高效率、高线性、高工作电压、抗辐照等优异特性,成为硅(Si)、砷化镓(GaAs)等器件的理想替代者,在军事装备、航空航天、第五代移动通信(5G)技术等领域发挥了重要的作用,并展现出了广阔的发展前景。
技术“小白”如何变身第三代半导体独角兽
于是,就在节电器公司做得风生水起时,郑清超却卖掉股份,扭头扎进了第三代半导体核心材料碳化硅单晶衬底生产领域。如今,由于坚持走自主研发的道路,同光半导体已取得授权专利70余项,是河北省唯一一家能够量产第三代半导体碳化硅单晶衬底的高新技术企业,碳化硅单晶衬底制备技术各项指标达世界先进水平。
预见2024:《2024年中国第三代半导体材料行业全景图谱》(附市场...
半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料(www.e993.com)2024年10月23日。半导体材料是半导体产业链上游的重要组成部分,在集成电路、分立器件等半导产品生产制造过程中起关键作用。第三代半导体材料是继以硅(Si)和砷化镓(GaAs)为代表的第一代和第二代半导体材料之后,迅速发展起来的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带...
碳化硅:渗透新能源车半壁江山 第三代半导体百亿级市场拉开帷幕丨...
第三代半导体终迎爆发碳化硅作为第三代半导体,其实并不是新鲜概念。碳化硅作为材料已有百年历史,商业化也已超过30多年。1824年,瑞典科学家在人工合成金刚石的实验中意外发现了碳化硅这一物质,其硬度比钻石小但光彩更亮;1955年,LELY提出生长高品质碳化硅的方法,从此将碳化硅作为重要的电子材料;1987年,科锐制造了...
【芯人物】派恩杰黄兴:做好中国第三代半导体产业的“探路者”
派恩杰半导体是国内第三代半导体功率器件的领先品牌,拥有深厚的技术底蕴和供应链优势,创始人黄兴博士师承IGBT发明人Dr.B.JayantBaliga与ETO晶闸管发明人Dr.AlexQ.Huang,并于2009年起深耕碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发,对产业有着深入洞察。派恩杰半导体拥有国内最全的碳化硅功率器件产品目录,可以满足用户各种应用场...
芯联集成赵奇:中国第三代半导体产业由“春秋”进入“战国”,2024...
央广网北京1月5日消息(记者曹倩)尽快投入8英寸碳化硅产线建设、实现MOSFET器件大规模量产、国外主流厂商对中国市场的觊觎……芯联集成总经理赵奇日前做客《沪市汇·硬科硬客》第二期节目“换道超车第三代半导体”时表示,国内第三代半导体产业链发展过程中,面临着三条“充满挑战、但必须要走的路”。
未来可期,2023中国功率半导体和第三代半导体发展现状和前景分析
传统硅基功率器件发展达到极限,第三代半导体时代已经到来。第三代半导体是以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,是支撑新能源汽车、光伏储能、高速轨交、智慧电网、新一代移动通信等产业持续发展的重点核心材料。