江波龙2023年年度董事会经营评述

半导体存储技术的诞生及演进的特点,决定了全球存储晶圆市场长期以来由韩国、美国和日本的少数企业主导。与此同时,以长江存储、长鑫存储为代表的国内存储晶圆厂商在技术进步和产能扩张方面持续展现出强劲的发展势头,这也为国内独立存储器厂商的发展带来了更多的契机。在NANDFlash产品方面,随着5G、AI、云技术等的高速发展...

长鑫、长存两大中国存储芯片巨头受美国打压后,发展如何?

长江储存以"CrystalStack"的方式,从64到128,再到232,与美光、三星等国际大公司并驾齐驱,更在232层的制程上,超过三星等企业,率先实现232层3D闪存的批量生产。但是,这个想法很快就被美国阻止了,因为他们试图阻止我们128层NAND快闪记忆体的发展,以及128个以上的硬体与科技。长江存储现在的232层内存,已经很少了...

紫光集团的储存芯片梦:长江储存的前世今生

2020年,越过96层,长江储存直接发布128层3DNAND闪存,标志着长江储存迈过国际第一梯队的门槛!128层3DNAND闪存是业界的主流技术,三星在2019年8月宣布推出首个100+层的TLC3DNAND闪存;美光、海力士分别于同年宣布推出128层3DNAND闪存。长江储存在大约半年之后,也实现了这一技术的突破,中国终于抢占了当今领...

长江存储:64层闪存颗粒出货超3亿颗,128层QLC准备量产

为了把握市场机遇，长江存储携手生态伙伴共同打造更低成本、更高性能且多元化的存储解决方案，目前，长江存储64层闪存颗粒出货超3亿颗。值得关注的是，长江存储在去年4月宣布推出128层QLC3DNAND闪存，以及128层512GbTLC（3bit/cell）闪存。程为华在演讲中透露，128层QLC已经准备量产，TLC良率做到相当高的水准...

重磅!消息称长江存储第四代3D NAND将由128层直接迈进192层

直到今年4月初,长江存储率先发布两款128层3DNAND产品,分别为:容量为1.33Tb的128层QLC3DNAND闪存和容量为512Gb的128层TLC3DNAND闪存,这代表着当时业界最高存储密度、最高I/O传输速度、单颗Die最高容量。媒体报道称,长江存储的128层芯片的良率目前在70%左右,仍有提高的空间。

长江存储成功研发128层闪存 国产存储器迈重要一步

中新网北京4月13日电(记者李晓喻)长江存储科技有限责任公司13日宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号：X2-6070)研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证(www.e993.com)2024年11月22日。长江存储是中国核心半导体制造企业紫光集团旗下公司，主要业务为3DNAND闪存设计制造。2016年底落地武汉，总投资240亿美元。作为业内首款128层...

国产存储器新突破:长江存储推出两款128层闪存

4月13日，长江存储宣布成功研发两款128层闪存产品。128层QLC3DNAND闪存芯片单颗容量达1.33Tb，另一款为128层512GbTLC闪存芯片，两款产品均已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。随着3D堆叠层数越高，技术难度也将会越高。长江存储用3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。根据长江存储的...

长江存储推出128层QLC闪存:单颗容量达1.33Tb

长江存储推出128层QLC闪存:单颗容量达1.33Tb上证报中国证券网讯(记者李兴彩)4月13日,长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”)宣布其128层QLC3DNAND闪存(型号:X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。据介绍,作为业内首款128层QLC规格的3DNAND闪存,长江存储X2-...

长江存储发布全球首款128层QLC闪存 一枚芯片含3665亿个“存储细胞...

湖北日报讯(记者李墨、通讯员华健)4月13日,长江存储最新128层QLC3DNAND闪存芯片“X2-6070”,宣布在武汉光谷研发成功,这是全球首款128层QLC闪存。目前,该闪存已通过多家知名控制器企业在固态硬盘等终端存储产品上的验证,有望今年下半年或明年上半年量产。

长江存储发布128层TLC/QLC闪存:量产时间已定

长江存储重磅发布了两款128层3DNAND产品,分别为:容量为1.33Tb的128层QLC3DNAND闪存和容量为512Gb的128层TLC3DNAND闪存,其中,128层QLC产品为目前业内发布的首款单颗Die容量达1.33Tb的NAND闪存,容量、性能均优于主要竞争对手,并且两款产品均已获得主流控制器厂商验证。