霍尔效应及其非线性修正(图)
其中K为霍尔系数,Ia为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦兹力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强度成正比的关系。其中,磁场中金属板的霍尔效应,纯金属的霍尔系数比较小,而半导体材料的霍尔系数要大几个数量级,因此一般使用硅、锗、砷化铟、锑化铟等半导体...
拓扑量子材料简介
其中,IQHE是整数量子霍尔效应,FQHE是分数量子霍尔效应,QAHE是量子反常霍尔效应,QSHE是量子自旋霍尔效应,TI是拓扑绝缘体,TCI是拓扑晶体绝缘体,WSM是外尔半金属,TNLSM是拓扑节点线半金属,HOTI是高阶拓扑绝缘体,HOTSM是高阶拓扑半金属,TKI是拓扑近藤绝缘体本文将介绍几类典型的拓扑材料及其相关物理,然后介...
深度解读磁敏传感器技术原理
在霍尔效应原理分析时,我们是将霍尔片的长度L看作无穷大来考虑的。实际上,霍尔片的长度是有限的,如果L太小,当小到某个极限值时,霍尔电场会被控制电流极短路,因此在霍尔电势的表达式中增加一项与几何尺寸有关的系数,实验表明,当L/b>2时,形状系数fH(L/b)接近1。为了提高元件的灵敏度,可适当增大L/b值,实际...
科学家首次发现反铁磁拓扑量子材料
实验室副主任AleksandrShikin教授说:“MnBi2Te4单晶非常有趣,这是一种全新的材料。如果反铁磁连接层被拓扑绝缘体分隔开,我们就能利用反铁磁到二维铁磁的过渡打造出独特的磁性。”研究人员还在MnBi2Te4单晶中成功观察到了量子反常霍尔效应。这对利用新材料开发电子设备奠定了基础。目前,研究人员已经提出了基于MnBi2T...
能谷光子晶体与拓扑光传输
普林斯顿大学研究者提出使用具有法拉第效应的材料打破时间反演对称性,在三角格子光子晶体中实现光学类量子霍尔效应[22]。2009年,麻省理工学院研究者在四方格子磁性光子晶体中探测到了单向抗散射的拓扑保护边界态,实验证实了光学类量子霍尔效应[23]。随后,南京大学研究者在六方格子磁性光子晶体中进一步探测到了光子晶体与...
PRL论文导读:2018年121卷16期
Moriyama等人基于自旋霍尔效应在CoGd人工反铁磁比特中实现了一系列自旋轨道转矩写入操作,并用高低电阻态实现了信息读取(www.e993.com)2024年10月27日。作者揭示了自旋轨道转矩和场诱导两种引起反铁磁序翻转机理的差异。除了给出详细的自旋转矩储存操作以外,这个系统工作也展示了反铁磁比特的记性行为和高度抗外场干扰的能力。(李松)Spin-Orbit-Torque...
一文看懂霍尔传感器的大作用
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数,能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。由于霍尔元件产生的电势差很小,故通常将霍尔元件与放大器电路、温度补偿电路及稳压电源电路等集成在一个芯片上,称之为霍尔传感器。霍尔传感器也称为霍尔集成电路,其外形较小。