AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和易失性的新型存储器以及基于新型材料的存储器技术,正加速新型存储器的创新之路,如自旋磁存储器MRAM(MagnetoresistiveRandomAccessMemory)、阻变存储器RRAM(ResistiveRandomAccessMemory)、相变存储器PCM(phasechangememory)、铁电存储器FeRAM(FerroelectricRAM)等。MRAM,自旋...

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

为了降低云端和边缘的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存储器正在迎来市场快速增长的时代，例如铁电存储器FeRAM和ReRAM，以及磁存储器MRAM和电阻存储器ReRAM。等待。2020-2024年全球内存市场规模及增速富士通半导体（即将更名）作为全球两大FeRAM产品供应商之一，只专注于高性能存储器FeRAM和ReRAM的研发，以及基于F...

国芯思辰|基于国产FRAM SF25C20微控制器无线传感器网络应用方案

本文主要提到国产铁电存储器SF25C20来解决传感器数据存储和微控制器技术问题。普通微控制器一般采用的是Flash和EEPROM存储,基于铁电存储器SF25C20的微控制器可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。当从铁电存储器中执行代码时,还有效降低了功耗。铁电存储器的擦写次数可以达到100万次,对很多应用而言,这样...

新书上架《半导体存储器件与电路》

几种受关注的候选者包括相变存储器(PCM)及用于相关3DX-point技术的选通器;阻变随机存取存储器(RRAM);磁性随机存取存储器(MRAM),包括自旋转移力矩(STT)和自旋轨道力矩(SOT)两种切换机制的MRAM;铁电存储器,如铁电随机存取存储器(FeRAM)和铁电场效应晶体管(FeFET)。此外,这些新型非易失性存储器的多比特存储、离散...

存储芯片,中国什么时候能成?

NORFlash属于代码型闪存芯片,用来存储代码及部分数据,是终端电子产品种不可或缺的重要元器件,具备随机存储、可靠性高、读取速度快、可执行代码等特性,在中低容量应用时具备性能和成本上的优势。EEPROM则是一种支持电可擦除和即插即用的非易失性存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等...

NOR Flash也要创新了

最初,旺宏是在一个8层结构上开发的,已经完成了34层堆栈的工作,这似乎是可行的(www.e993.com)2024年11月17日。旺宏认为,在70层以上时,该公司提出的3DNORFlash将挑战20nm半间距的两层交叉点相变存储器。进一步的改进可能来自铁电存储器晶体管,它允许更低的电压操作和更快的写入速度。

国芯思辰拍字节新型3D铁电存储器(VFRAM)弥补两大主流存储器鸿沟

拍字节新型3D铁电存储器优势型号P95S128KSWSP3TFP95S128KSWSP3TF描述该FRAM芯片（铁电随机存取存储器）配置为16,384×8位,通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元和SRAM不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。该芯片中使用的存储单元可用于1E6次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和...

新型存储:算力之光

新型存储:算力之光摘要:随着AI时代的到来,AI时代数据处理量激增使得“存储墙”带来的速度与功耗问题愈发严重,存储提速迫在眉睫;新型存储应运而生。磁性存储器MRAM,阻变存储器RRAM,铁电存储器FRAM皆有可能成为新时代的存储技术。原文存储技术发展面临两大瓶颈:...

总算有篇文章把存储芯片讲的七七八八啦

2)非易失存储器从早期的不可擦除PROM,到后来的光可擦除EPROM、电可擦除EEPROM,到现在的主流的Flash,技术在不断的更新、进步。现在RAM领域还出现了铁电存储器(FRAM)、相变存储器(PRAM)、磁存储器(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等非易失静态存储器。1.EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”,可以在电脑上...

2022年存储芯片行业深度报告

(2)FRAM(铁电存储器)。可实现超低功耗、快速存储,有望在消费类小型设备中得到应用,如手机、功率表、智能卡以及安全系统。但由于FRAM存储密度低,且因铁电晶体的固有缺点,访问次数有限,超出了限度,FRAM就不再具有非易失性,因此FRAM无法替代Flash。目前布局的厂商有Fujitsu、德仪、Cypress等。