霍尔效应及其非线性修正(图)
当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电位差,这种现象就称为霍尔效应。两端具有的电位差值称为霍尔电势UH,其表达式为UH=K·Ia·B/d其中K为霍尔系数,Ia为薄片中通过的电流,B为外加磁场(洛伦兹力Lorrentz)的磁感应强度,d是薄片的厚度。由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外...
拓扑量子材料简介
其中,IQHE是整数量子霍尔效应,FQHE是分数量子霍尔效应,QAHE是量子反常霍尔效应,QSHE是量子自旋霍尔效应,TI是拓扑绝缘体,TCI是拓扑晶体绝缘体,WSM是外尔半金属,TNLSM是拓扑节点线半金属,HOTI是高阶拓扑绝缘体,HOTSM是高阶拓扑半金属,TKI是拓扑近藤绝缘体本文将介绍几类典型的拓扑材料及其相关物理,然后介...
霍尔电流传感器是什么?霍尔电流传感器的原理介绍
如果在输入端通入控制电流IC,当有一磁场B穿过该器件感磁面,则在输出端出现霍尔电势VH。霍尔电势VH的大小与控制电流IC和磁通密度B的乘积成正比,即:VH=KHICBsinΘ霍尔电流传感器是按照霍尔效应原理制成,对安培定律加以应用,即在载流导体周围产生一正比于该电流的磁场,而霍尔器件则用来测量这一磁场。因此,使电流...
深度解读磁敏传感器技术原理
置于磁场中的静止载流导体或半导体,当它的电流方向和磁场方向不一致时,载流导体上垂直于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势,这种现象称霍尔效应。该电动势称霍尔电势,载流导体(多为半导体)称霍尔元件。霍尔效应是导体中的载流子在磁场中受洛仑磁力作用发生横向漂移的结果。??如图在与磁场垂直的半导体薄片上...
能谷光子晶体与拓扑光传输
关键词拓扑光子学,能谷光子晶体,光学量子(自旋/能谷)霍尔效应,光传输1引言大数据和下一代通信技术对数据计算、信息处理和传输速度的要求不断提高,新型光信息处理/传输的维度和自由度将成为后摩尔时代的关键技术核心。在传统光学原理框架下,高效光传输问题在集成光电子领域的发展受到了制约。例如,光在微纳光子器件...
霍尔元件的灵敏度是多少
KH称为灵敏度(www.e993.com)2024年10月26日。单位为mV/(mA.G)实际的霍尔元件,通常分为开关型或线性型两种,开关型一般不标称灵敏度。线性型通常电流I由内部电路决定。因此,灵敏度的定义发生了变化。VH=KHB。单位变为mV/G一般在1~5mV/G,假设供电电流为10mA,也可转变为:
PRL论文导读:2018年121卷16期
Moriyama等人基于自旋霍尔效应在CoGd人工反铁磁比特中实现了一系列自旋轨道转矩写入操作,并用高低电阻态实现了信息读取。作者揭示了自旋轨道转矩和场诱导两种引起反铁磁序翻转机理的差异。除了给出详细的自旋转矩储存操作以外,这个系统工作也展示了反铁磁比特的记性行为和高度抗外场干扰的能力。(李松)Spin-Orbit-Torque...
一文看懂霍尔传感器的大作用
灵敏度KH=EH/IB,它的数值约为10MV(MA.T)左右。(5)最大磁感应强度BM---霍尔传感器参数磁感应强度超过BM时,霍尔传感器电势的非线性误差将明显增大,特斯捡(T)成几千高斯(Gs)(1Gs=104T)。(6)个等位电势在额定激励电流F,当外加磁场为零时它是由于4个屯极的几何尺寸不对称引起的误差。