AI大模型需要新型存储器!北京大学唐克超老师谈FeRAM铁电存储器...

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器,它利用磁电阻效应来存储数据,核心原理是利用材料的磁阻效应,即材料的电阻会随着外部磁场的变化而变化,从而通过改变电流方向和大小,可以改变其中一个磁性层的磁化方向,由此实现数据的写入和读取。其实这也不是什么新兴技术。早在上世纪五十年代就已经被提出,并在军用方面得到广泛应...

苹果A15和麒麟9000哪个好 和A12性能差距大吗?

天玑9000采用台积电4纳米工艺制程,CPU采用“1+3+4”三丛集Armv9架构,APU性能提升,ISP处理速度提升,最高支持3.2亿像素摄像头,采用Mali-G710十核GPU,搭载R165G调制解调器。A15Bionic芯片具有6核中央处理器(2个性能核心和4个能效核心)、4核图形处理器和16核神经网络引擎,采用5纳米制程技术。苹果A15苹果A15有哪...

...实现模块的特性包含电源管理、现场可编程器件、非易失存储器等

专利摘要显示,所述的一种基于FPGA的1553B模块的实现方法,其特征在于:其中包含电源管理、现场可编程器件、非易失存储器、1553B收发器、1553B模块与外部通信接插件、电阻容,其中1553B收发器包含:发送模块、接收模块和内置隔离变压器。金融界提醒:本文内容、数据与工具不构成任何投资建议,仅供参考,不具备任何指导作用。股市...

中科院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展

一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流;二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加,因此需要高密度的存储器;三是存储器和随机源的分离,导致了芯片面积和功耗的浪费。针对这些挑战,中科院微电子所刘明院士团队首次构建了存储器和随机源融合的贝叶斯机。通过16层3D集成Fe-Diode实现了极高...

HDGK-8D高压开关机械特性测试仪的使用详情

⑤传感器:有通用、旋转和直线传感器三个选项,根据所用的传感器进行相应设定即可。⑥速度测试:如现场不是行程试验,将此项关闭,可以缩短试验时间,减轻试验强度。⑦行程测试:用直线传感器测速时,将此项开启,能测得开关行程值;用通用和旋转传感器测速时,将此项关闭。

苹果A15和M1有什么区别 和A12性能差距大吗?

iPhone13mini搭载了A15仿生芯片,采用5纳米工艺,集成了150亿个晶体管(www.e993.com)2024年11月19日。设计有两枚摄像头,包括一枚1200万像素??/1.6光圈的广角主摄和一枚1200万像素??/2.4光圈、120°视角的超广角摄像头。3.iPhone13ProiPhone13Pro是苹果公司于北京时间2021年9月15日发布的智能手机。iPhone13Pro搭载了A15仿生处理器,采用台积电...

RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求

FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NORflash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次,而EEPROM、NORFlash一般都有次数的限制。基于这两个特点,在实时写入、掉电保护等...

SM74HC595D芯片的8位串行输入/输出和并行输出特性详解

3)与74hc164只有数据清零端相比,74hc595还多有输出端时能/禁止控制端oe,可以使输出为高阻态。所以是用这块芯片会更方便4)SM74HC595D是具有8位移位寄存器和一个存储器,三态输出功能。移位寄存器和存储器是分别的时钟。数据在SHcp(见时序图)的上升沿输入,在STcp(见时序图)的上升沿进入的存储寄存器中去。如果两个时...

HBM(高带宽存储器)简介

典型的DRAM中,每个芯片有八个DQ引脚(数据传输路径,用作处理器和存储器之间通信的数据总线,必须具备读写功能,所以具备双向特性),即数据输入/输出引脚。组成DIMM模块单元后(双列直插式存储模块,安装在PCB板上的存储模块,包含多个存储芯片,被用作PC或者服务器中的主存储单元),共有64个DQ引脚。随着数据处理速度等方面的...

3D DRAM行业研究:3D DRAM时代到来,国产DRAM迎来契机

根据专利描述,具有XTACKING架构的DRAM存储器包括具有形成于其中的阵列晶体管的第一晶圆,和具有形成于其中的电容器结构的第二晶圆,以及形成于第一晶圆和第二晶圆之间的包括多个键合结构的键合界面。3DDRAM技术相关专利快速增长3DDRAM的优势不仅在于容量大,其数据访问速度也快。传统的DRAM在读取和写入数据时需要经过...