上海集成电路研发中心申请提升锗外延工艺质量相关专利,能减小光电...
专利摘要显示,本发明公开了一种提升锗外延工艺质量的方法、器件中间结构及制作方法,器件中间结构包括:设于半导体层表面上的顶层介质层,和设于顶层介质层表面上且底面位于半导体层表面下方的过渡外延窗口,其包括位于顶层介质层中的第一窗口部,和对应位于半导体层中的第二窗口部,第二窗口部的第二横向尺寸大于第一窗口部...
长鑫存储取得半导体存储器件结构及其制作方法专利,降低了工艺复杂...
专利摘要显示,本发明提供一种半导体存储器件结构及其制作方法,存储器件结构包括半导体衬底、字线结构及接触结构,半导体衬底包括有源区及沟槽隔离结构,字线结构形成于所述导体衬底中与有源区交叉,任一字线结构的一端具有长端尾部,其另一端具有短端尾部,且相邻的两所述字线结构的长端尾部与短端尾部呈交错排布,接触结构...
顺络电子申请陶瓷封装管壳及其制作方法、半导体器件专利,降低印刷...
专利摘要显示,本发明提供一种陶瓷封装管壳及其制作方法、半导体器件,陶瓷封装管壳包括陶瓷主体,陶瓷主体上设置有芯片安装部;内引脚组件,内引脚组件设置在陶瓷主体上并靠近芯片安装部设置;外部焊盘,外部焊盘设置在陶瓷主体的第一外壁上,外部焊盘通过内部线路与内引脚组件电连接;内引脚组件包括第一内引脚和第二内引脚,第...
【光电集成】功率半导体IGBT模块的封装工艺及芯片封测技术发展
作为新型功率半导体器件的主流器件,IGBT应用非常广泛,如家用电器、电动汽车、铁路、充电基础设施、充电桩,光伏、风能,工业制造、电机驱动,以及储能等领域。IGBT模块是新一代的功率半导体电子元件模块,诞生于20世纪80年代,并在90年代进行新一轮的改革升级,通过新技术的发展,现在的IGBT模块已经成为集通态压降低、开关速度...
至纯科技:公司半导体清洗设备用于晶圆制造各工艺环节的前后,包括...
至纯科技:公司半导体清洗设备用于晶圆制造各工艺环节的前后,包括光刻环节前后工序每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:公司半导体清洗是否用于光刻环节?至纯科技(603690.SH)11月29日在投资者互动平台表示,公司半导体清洗设备用于晶圆制造各工艺环节的前后,包括光刻环节前后工序。(记者毕陆名)免责声明:本文...
半导体硅片行业专题报告:半导体硅片景气度向好,国产厂商前景可期
按照工艺进行分类,半导体材料可分为晶圆制造材料和封装材料(www.e993.com)2024年9月20日。其中,晶圆制造材料主要包括硅片、特种气体、掩膜版、光刻胶、光刻胶配套材料、(通用)湿电子化学品、靶材、CMP抛光材料等,主要用于前道工艺,包括氧化、光刻、刻蚀、离子注入、退火、薄膜沉积、清洗、CMP抛光等;封装材料主要包括封装基板、引线框架...
泓人观点 | 半导体材料行业研究分析
半导体材料种类划分芯片生产流程:大体可分为硅片制造、芯片制造和封装测试三个流程。其中,硅片制造包括提纯、拉单晶、磨外圆、切片、倒角、磨削、CMP、外延生长等工艺,芯片制造包括清洗、沉积、氧化、光刻、刻蚀、掺杂、CMP、金属化等工艺,封装测试包括减薄、切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型、终测等工艺。
光刻技术的过去、现在与未来
光刻技术作为一项精密的微纳米加工工艺,通过将设计好的微小图案转移到光敏感的材料表面,为各个领域的微细结构制造提供了技术支持。其核心在于利用光刻机,将精准的图案投射到光敏感材料上,从而实现微小结构的精确制造。在当今科技时代,光刻技术是推动半导体制造、光学器件、生物医学等领域发展的重要技术支撑。在半导体制...
佳能发布5nm最新型光刻机FPA-1200NZ2C,或对半导体行业产生影响
2023年10月13日,日本佳能官网宣布,推出一款型号为“FPA-1200NZ2C”的半导体纳米压印设备,号称实现了目前最先进的半导体工艺。官方表示,该技术采用与传统投影曝光技术不同的方法形成电路图案,“担当”半导体制程中最重要的工序—图形转移。纳米压印纳米压印是一种高精度的制造技术,用于在纳米尺度上对表面进行图案化处理...
第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链、下游...
衬底制造中会产生无法达到半导体级要求的晶棒、不合格衬底等。这类非半导体级的半绝缘型碳化硅晶棒可作为宝石品棒用于加工制成莫桑钻等珠宝首饰进入消费品市场,或用于设备研发与测试等领域。不合格衬底可用于设备研发测试或科研等用途。3、碳化硅衬底工艺