中国科大在半导体p-n异质结中实现光电流极性反转

然而,该类器件受限于传统p-n结的工作机理,其工作特征须遵照以下原则:(1)入射光子能量大于半导体的带隙;(2)在固定偏压下,产生的光电流朝固定方向单向流动(单向光电流),这大大限制了其在特殊应用场景(例如高分辨多色成像、生物光电检测、便携式小型光谱仪、多通道光通信和光逻辑运算等)中的应用。近年来,脱离于经...

中科院北京纳米能源所张弛研究员团队EES:基于P/N型有机半导体纤维...

研究人员将P型的有机半导体聚(3,4-乙烯二氧噻吩):全氟磺酸(PEDOT:PF)和N型的有机半导体聚(苯二呋喃二酮)(PBFD)集成到棉纺纤维上并进一步编织成三维的螺旋纤维(SF)。通过串/并联组合,SFs被编织成可穿戴的直流纺织电源。研究人员进一步系统研究了直径、机械应力、运动方式(拉伸状态和压缩状态)和串/...

浙江大学赵保丹&狄大卫Nature全面解读:发光钙钛矿半导体中可控的p...

对于典型的半导体如硅(Si)和氮化镓(GaN),正型(p型)和负型(n型)导电性是通过将电子受体和电子供体元素掺入晶体格中实现的。对于新兴的卤化物钙钛矿半导体而言,尚未发现可以在保持高光电性能的同时可靠控制电荷导电行为的机制。在这项研究中,浙江大学赵保丹和狄大卫等人报告了一种方法,通过引入具有强电子吸引能力的磷...

发射型钙钛矿半导体的可控p型和n型行为研究

本研究报道指出,通过在宽带隙钙钛矿半导体中掺入具有强吸电子能力的膦酸分子掺杂剂,可以调整其p型和n型特性。由此得到的p型和n型样品的载流子浓度均超过1013cm-3,霍尔系数范围从0.5m3C-1(n型)到0.6m3C-1(p型)。观察到费米能级在带隙间的移动。重要的是,在保持70–85%的高光致发光量子产率的同时,实现了...

...教授团队利用压力调制Peierls畸变实现NbOI2的n-p导电类型切换...

具体而言,压力下Nb原子沿b轴方向的偏心逐渐被抑制,导致NbOI2从C2相向C2/m相的转变,同时,载流子行为发生从n型到p型的显著转变。更重要的是,这种可逆的导电类型切换发生在半导体-半导体相变过程中。即使导电类型发生转换后,NbOI2仍保持约1.1eV的带隙,这与先前报道的半导体材料在类似转变过程中通常出现带隙闭合的...

离子束图案化掺杂构建二维横向p-n结

通过精确调控注入离子的剂量,成功实现了对WS2导电类型的调控,使其从n型转变为双极型甚至p型,且论证了该方法的普适性(www.e993.com)2024年11月13日。此外,基于WS2横向p-n同质结的光电探测器表现出良好的自驱动光探测能力。该成果为二维半导体的可控掺杂提供了一种有效的途径。该成果以“SpatiallySelectivep-typeDopingforConstructing...

半导体芯片,到底是如何工作的?

方法当然是有的。这个时候,一种伟大的材料就要登场了,它就是——半导体。半导体的萌芽我们将时间继续往前拨,回到更早的18世纪。1782年,意大利著名物理学家亚历山德罗??伏特(AlessandroVolta),经过实验总结,发现固体物质大致可以分为三种:第一种,像金银铜铁等这样的金属,极易导电,称为导体;...

P型半导体与N型半导体的定义及区别

载流子类型:-P型半导体的主要载流子是空穴,表现为正电荷。-N型半导体的主要载流子是自由电子,表现为负电荷。掺杂元素:-P型半导体通常使用三价元素(如硼或铝)进行掺杂。-N型半导体则使用五价元素(如磷或砷)进行掺杂。导电性质:-在P型半导体中,空穴的移动导致了电流的形成,其移动方向是从正极向负...

首次!有机半导体光催化掺杂

图4:光催化n型掺杂以及光催化的协同的p/n掺杂。最后,研究人员研究了有机半导体的光催化还原(n-掺杂)以及协同的光催化p/n掺杂。作者使用三乙胺作为弱n型掺杂剂,在光照下转化光催化剂至还原态,之后光照继续激活至活性更高的激发还原态,实现对n型半导体BBL的有效掺杂。作者进一步将三乙胺替换成p型半导体P(g42T-...

吃透MOS管,看这篇就够了

在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上,用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(Si02)绝缘层膜,在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极,作为栅极G。这就构成了一个N沟道(NPN型)增强型MOS...