科学家利用ARPES揭秘1T-TiSe2电子结构!

通过向样品表面引入碱金属原子,该材料被掺入电子,使得导带位置下降至费米能级(EF)之下,从而能够直接观察到导带的行为。研究结果表明,导带与价带(VB)在CDW态中发生相互作用,导致两者之间的能带间隙增加。这一混合能隙与CDW秩序的强度密切相关。当温度升高或载流子掺杂增加时,CDW秩序受到抑制,混合能隙随之减小。这些结...

朱永法教授团队Chem:可见光诱导价带内强氧化空穴产生

Side-CB和Side-VB分别表示导带最低点和价带最高点,分别对应LUCO和HOCO。Intra-VB指的是内部价带,本研究特别关注HOCO-1轨道。基于实验测定了PTCDA光催化剂的side-CB为-0.32V,side-VB的氧化电位为1.65V,HOCO-1的位置为2.98V。考虑到从HOCO-1到LUCO的电子跃迁需要高能激发(E≥3.30eV,λ≤376nm)以及HO...

能隙QCP 之节线半金属|量子|能带|狄拉克|布里渊|经典计算机_网易...

注意到,在时间反演不变点(time-reversalinvariantpoint,即QCP或狄拉克点)处,正常绝缘体导带(红)和价带(蓝)两支能带,分别携带奇宇称(oddparity,-)和偶宇称(evenparity,+)。QCP处,当然可演生出很多新量子物态,但其中一种物态即狄拉克半金属Diracsemimetal(DSM)。继续演化,出现...

光催化半导体中的缺陷态和极化子的时间分辨光谱研究 | 进展

光电导率法、空间电荷限流法等,扫描激发-时间分辨中红外光谱,能够以0.02eV的能量分辨率确定带隙中束缚态电子费米能级(EFs)的位置,进而确定光激发缺陷初始态和最终态的能级位置(普通光激发只能能够确定光学跃迁的能级差),并确定缺陷态离散能级的位置。

光伏设备一级市场系列研究:降本增效目标下的技术迭代

科学家通过实验观测不同材料的能带结构及导带和价带在k空间的相对位置来发现直接带隙半导体和间接带隙半导体。常见的间接带隙半导体多为单质晶体,例如晶硅电池中使用的多晶硅(Si)和锗晶体(Ge);而现在发现的直接带隙半导体多为化合物,且已在薄膜电池中得到应用,例如:GaAs(砷化镓)、CdTe(碲化镉)。

梳理近70年诺奖成果,库叔发现了一个大秘密!慎点!太烧脑了…

图中从左至右依次为导体、半导体、绝缘体的导带(蓝)和价带(红)对比(www.e993.com)2024年11月4日。正是半导体的出现,让数字计算机变小变轻成为可能,最终走进千家万户、走到每个人的手中。而数字计算机的发明,离不开“二进制运算”的发明。我们知道,计算机用比特(0或1)作为信息的最小单元,采用二进制计数法,用输入比特来操作输出比特的结果...

照明半导体的导电机理

导带和价带电子的导电情况是有区别的,即:导带的电子越多,其导电能力越强;而价带的电子的空位越多,即电子越少,其导电能力就越强,通常把价带的电子空位想象为带正电的粒子。显然,它所带的电量与电子相等,符号相反。在电场作用下,它可以自由地在晶体中运动,像导带中的电子一样能够起导电作用,这种价带中的电子空位...