【中标】北京大学298万元采购原子层沉积系统;400亿元12英寸晶圆...

王亮教授研究团队通过调整MOCVD的温度、V/III比、掺杂浓度等生长参数实现低缺陷密度和高掺杂精度的外延结构生长。在SPAD器件结构的基础上提出并设计了新型的宽谱(全光通信波段)全反射镜,即金属—分布式布拉格反射镜用以提升SPAD芯片的光电吸收效率。研究团队所制备的12μm窗口的低暗计数SPAD,在温度233K及10%的探测效率...

半导体硅片行业专题报告:半导体硅片景气度向好,国产厂商前景可期

因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，被广泛应用于制作通用处理器芯片、图形处理器芯片。如果生长一层高电阻率的外延层，还可以提高器件的击穿电压，用于制作二极管、IGBT等功率器件，...

亏损超10亿,半导体硅片大厂IPO中止

覆盖单晶硅棒及硅片加工中各环节,包括晶体生长、晶锭切割、切片、倒角、研磨、化学腐蚀、热处理、端面处理、边缘、清洗以及检测等,核心技术达到国内先进水平;(2)公司的半导体硅片产品具有高平整度、高均匀性、低缺陷密度等特点,平坦度、翘曲度、厚度、表面颗粒、表面金属含量、电阻率梯度等技术指标...

2023-2035年半导体硅片行业调研及发展趋势分析

随着制程的推进，对芯片缺陷密度、缺陷尺寸的容忍度不断降低，硅片的质量会直接影响制作完成芯片的质量和良品率，未来质量要求将会更趋严格。客户黏性高，为了保证芯片的质量，硅片厂商需要经过晶圆制造商严格而且长时间的质量认证周期，一旦通过验证，双方就会形成长期、稳定的合作关系。硅片向大尺寸迭代，目前全球的先...

沪硅产业2023年年度董事会经营评述

随着半导体制程的不断缩小,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低。对应在半导体硅片的制造过程中,需要更加严格地控制硅片表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等技术指标,这些参数将直接影响半导体产品的成品率和性能。

国产12英寸大硅片产能正爆发!

随着制程的不断缩小,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低(www.e993.com)2024年11月28日。在先进制程工艺下,大硅片的表面微粗糙度、硅单晶缺陷、金属杂质、晶体原生缺陷、表面颗粒尺寸和数量等技术指标要求也更加高,这些参数将直接影响硅片的成品率和性能。早在2012至2013年科技部的02专项中,就有大硅片方面项目的经费准备,但...

中金| 半导体材料系列:复盘硅片产业变迁,展望国产化发展机遇

单晶生长技术:拉晶工艺是硅片制作核心工艺之一,主要流程为将电子级高纯度多晶硅拉制成单晶硅锭,单晶生长技术的重点在于保证拉制出的硅锭保持高纯度水平的同时,有效控制晶体缺陷的密度,单晶的生长过程决定了硅材料的直径、晶向、掺杂导电类型、电阻率范围及分布、氧碳浓度、少子寿命、晶格缺陷等技术参数。单晶的生长方法主...

千亿半导体巨头蓄势待发,沪硅产业引领硅片国产化进入快车道|面对面

前述半导体分析师也指出,“硅片从8英寸推进为12英寸,工艺升级使得制造难度倍数提升。半导体芯片最新节点已达5nm,随着制程升级,芯片制造工艺对硅片缺陷密度与缺陷尺寸的容忍度不断降低,质量控制更严格。技术节点越先进的硅片,相对的价值也就越高”。产品线方面,沪硅产业通过三家控股子公司,互惠互补组成了丰富的半导体...

半导体硅片行业研究:供需缺口持续,国产替代前景可期

单晶硅片是单晶硅棒经由一系列工艺切割而成的,目前制备单晶硅的方法主要有直拉法(CZ法)和悬浮区熔法(FZ法);该技术的重点在于保证拉制出的硅锭保持极高纯度水平(纯度至少为99.999999999%)的同时,有效控制晶体缺陷的密度。直拉法:在一个直筒型的热系统用石墨电阻加热,将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅...

半导体行业深度报告:半导体硅片行业全攻略

市场认为国内硅晶圆会过度投资,我们认为国内硅晶圆产业起点低、起步晚,且长晶技术是决定硅片参数的核心环节,主要体现在炉内温度的热场和控制晶体生长形状的磁场设计能力。硅抛光晶圆的主要技术指标包括直径、晶体工艺、掺杂剂、晶向、电阻率、厚度等,其他质量指标包括缺陷密度、氧含量、碳含量、翘曲度等,其中大部分...