吃透MOS管,看这篇就够了
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性;上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生...
MOS管及其外围电路设计
该电流igd会流过驱动电阻Rg,在mos管GS之间又引入一个电压,当该电压高于mos管的门槛电压Vth时,mos管会误开通,为了防止mos管误开通,应当满足:式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值,式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容,Vth为mos管的门槛电压,均可以在对应的datasheet中查到,dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和...
MOS管G极与S极之间的电阻作用
将MOS管开启时间分解:t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs...
MOS管GS电阻有什么作用?
将MOS管开启时间分解:t0→t1:当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候(可以理解为对Cgs进行充电),MOS管开始导通,这之前MOS管处于截止区;t1→t2:随着Vgs继续增大,Id开始增大,Vds开始下降,此时MOS管工作在饱和区(如何判断是在饱和区?直接通过公式可知:Vds>Vgs-Vth,Vds-Id输出特性曲线反着分析一遍),Id主要由Vgs...
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算
这里就需要说明mos管的另外两个概念,即:**预夹断&夹断**。mos管的预夹断:对于N沟道增强型MOS,只要VGS>VGSth,mos管DS之间就会出现反型层(即mos管已经导通,并在DS间形成了一条通道,该通道形成是因为栅极电压VGS的增大,将电子吸引至耗尽层形成),然后这时我们在mos管的DS间设置电压,D端连接电源正极,S端连接...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
表1.MOS管LBSS84LT1主要特性3.确定比较器基准电压确定过压检测电路相应基准电平,选择低于电源最低工作电压范围的基准电压,作为比较器的比较基准,由于电源的最低工作电压为12V,可选择10V的齐纳二极管Z1作为比较基准(Vref),尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM10,封装为SOD-80,稳定工作电流...
2024年计算机软考中级【硬件工程师】面试题目汇总(附答案)
上拉电阻是指将不确定的信号钳位在高电平,同时起限流作用的电阻。由于I2C通信是开漏输出的(只能输出低电平不能输出高电平),因此需要加上拉电阻,使其可以输出高电平。11、单片机可以直接驱动MOS管吗?解题思路以stm32单片机为例,其io的输出电流一般在十几毫安到几十毫安之间,驱动器件的时候多采用单片机低电平驱动...
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法
必须选择Vds比最大输入电压Vmax和最大输入瞬态电压还要高的MOS管,对于通讯系统中用的MOS管,一般选择Vds≥100V。2、栅源电压Vgs稳压管D1是用来保护MOS管Q1的栅极以防止其过压击穿,显然MOS管Q1的栅源电压Vgs必须高于稳压管D1的最大反向击穿电压。一般MOS管的栅源电压Vgs为20V,推荐12V的稳压二极管。
60-80v的大功率mos管系列,光伏储能mos专用!
SVG086R0ND80vmos管采用TO252封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V。SVG086R0NL580v大电流mos管采用PDFN56封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0mΩ@VGs=10V。80vmos管型号SVG086R0NS采用TO263封装,漏源电压VDS=80V,导通电阻RDs(on)(典型值)=6.0...
干货|技术参数详解,MOS管知识最全收录
5、耗尽型与增强型MOS管的区别耗尽型与增强型的主要区别在于耗尽型MOS管在G端(Gate)不加电压时有导电沟道存在,而增强型MOS管只有在开启后,才会出现导电沟道;两者的控制方式也不一样,耗尽型MOS管的VGS(栅极电压)可以用正、零、负电压控制导通,而增强型MOS管必须使得VGS>VGS(th)(栅极阈值电压)才行。