8种开关电源MOS管的工作损耗计算
先通过计算得到MOSFET截止时所承受的漏源电压VDS(off),在查找器件规格书提供之IDSS,再通过如下公式计算:Poff=VDS(off)×IDSS×(1-Don)说明:IDSS会依VDS(off)变化而变化,而规格书提供的此值是在一近似V(BR)DSS条件下的参数。如计算得到的漏源电压VDS(off)很大以至接近V(BR)...
MOS管开关电路设计,用三极管控制会烧坏?
MOS管开关电路但是这个电路的缺点也是显而易见,由于MOS管有一个寄生的二极管,如果CD5V的滤波电容过大,或者后端有别的电压串进来,会把前端给烧坏!电流路径如下:后端电流路径如何改善这个问题呢?有两个方式,一种是在后端串联二极管。防止后端电压电流串扰的电路优点,电路简单,BOM成本低!缺点,二极管动态负载...
吃透MOS管,看这篇就够了
MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同,N沟道的类似NPN晶体三极管,漏极D接正极,源极S接负极,栅极G正电压时导电沟道建立,N沟道MOS管开始工作,如图1-4-B所示。同样P道的类似PNP晶体三极管,漏极D接负极,源极S接正极,栅极G负电压时,导电沟道建立,P沟道MOS管开始工作,如图1-5-B所示。图1-4-AN沟道...
芯片,复杂E/E架构进行有限收敛的关键
高低边驱动是根据MOS管的位置来区分的。高边驱动开关MOS位于电源和负载之间,低边驱动开关MOS位于负载和接地之间。器件选择来看,高边驱动需具备一定的耐压和大电流承受能力,因此多采用阻断电压高的PMOS器件。低边驱动需求的电压低,因此多选用NMOS器件。对比来看,由于NMOS器件导通电阻低,电路简单,低边驱动在成本方面存在一...
科博达取得车载高边开关专利,可在MOS主开关管失效时保护车载预热...
检测电路的输入端与MOS主开关管的输出端电连接。控制器的第一输出端与MOS主开关管驱动电路的输入端电连接,MOS主开关管的输出端用于连接车载预热器的电热元件。MOS管续流电路包括彼此并联的多个续流MOS管。多个续流MOS管的第一导通端均连接于MOS主开关管的输出端,第二导通端均接地。逻辑电路的输入端与控制器的第...
【干货】使用 MOS管构建双向逻辑电平转换器
在上面的示意图中,引入了两个附加的触觉开关(www.e993.com)2024年9月9日。此外,还连接了万用表来检查逻辑转换。通过按下SW1,MOS管的低侧将其状态从高变为低,并且逻辑电平转换器作为低压到高压逻辑电平转换器工作。另一方面,通过按下SW2,MOS管的高侧将其状态从高变为低,并且逻辑电平转换器作为高电压到低电压逻辑电平转换器工作。
从内部结构到电路应用,这篇文章把MOS管讲透了。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管,非常容易被静电击穿,平时要放在铁质罐子里,它的源极和漏极就是随便接。解释5:金属氧化物膜图中有指示,这个膜是绝缘的,用来电气隔离,使得栅极只能形成电场,不能通过直流电,因此是用电压控制的。在直流电气上,栅极和源漏极是断路,不难理解,这个膜越薄电场作用越好、坎...
MOS管基础及选型指南
每一个MOS管都提供有三个电极:Gate栅极(表示为“G”)、Source源极(表示为“S”)、Drain漏极(表示为“D”)。接线时,对于N沟道的电源输入为D,输出为S;P沟道的电源输入为S,输出为D;且增强型、耗尽型的接法基本一样。红色箭头指向G极的为NMOS,箭头背向G极的为PMOS...
...U专利,能有效抑制浪涌电流和浪涌电压,保护升压芯片和MOS管
2024年4月4日,深圳市奋达科技(002681)取得一项专利,涉及一种能抑制启动瞬间浪涌大电流损坏升压芯片和MOS管的电路。该电路包括升压电路、MOS管瞬态电压抑制电路等,通过工作电路连接电池和MOS管瞬态电压抑制电路,在开关电路的控制下工作。为有效抑制浪涌电流和电压,还增设了RC缓起动电路。
问界新能源汽车前装无线充电模块全面升级!拆解看看设计做工
PCBA模块底面中间位置焊接供电插座和磁环滤波电感,两侧底部焊接滤波电容,同步升降压开关管和合金电感。上方焊接无线充电功率管,滤波电感,切换线圈的MOS管,还焊接散热风扇的连接器。在中间位置焊接CAN通信芯片,主控MCU和无线充电芯片。PCBA模块正面底部焊接两颗同步升降压控制器,左侧焊接存储器和NFC芯片,右侧焊接无线充电芯...