晶扬电子申请集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法专利...

金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市晶扬电子有限公司申请一项名为“集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法”的专利,公开号CN118763117A,申请日期为2024年9月。专利摘要显示,本发明提供一种集成肖特基二极管的屏蔽栅MOSFET器件及制备方法,本发明屏蔽栅MOSFET器件包括第一导电类型衬底、第...

业界首款用于SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极管系列

“SMFA非对称瞬态抑制二极管采用单一元件解决方案,可轻松取代多个齐纳二极管和瞬态抑制二极管,从而保护宝贵的SiCMOSFET免受栅极故障影响。”Littelfuse产品营销总监BenHuang表示,“这种独特的解决方案还节省了宝贵的PCB空间,同时减少了所需的元件数量。”SMFA非对称系列非常适合使用SiCMOSFET的各种高要求应用,包括:●...

上海贝岭申请内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法专利,降低了...

专利摘要显示,本公开提供了一种内嵌异质结二极管的MOSFET及其制造方法,该MOSFET包括金属化漏极、N型衬底、N+缓冲层、多层N??外延层、P型体区、JFET区、P+接触区、N+源区、栅氧化层、N型多晶硅栅极、二氧化硅层间介质、P型多晶硅和金属化源极;JFET区位于两个P型体区的中间;P型多晶硅设于两个N型多晶硅栅极的...

银河微电:MOSFET、保护器件、二极管、三极管等产品可应用于光通信...

银河微电(688689.SH)12月7日在投资者互动平台表示,公司产品广泛应用于汽车电子、能源动力、网络通信等领域,公司主营产品为半导体分立器件和芯片,其中MOSFET、保护器件、二极管、三极管等产品可应用于光通信领域。

了解二极管反向恢复在D类放大器中的影响

带反并联二极管的互补电压开关D类配置。图3.互补电压开关D类配置。图片由SteveArar提供您可能已经注意到图3和图2中的降压转换器之间存在一些相似之处。但是反向恢复的效果是否也相似呢?我们将在接下来的两节中找出答案,这两节将解释当D类放大器在谐振频率以上或以下工作时,二极管反向恢复对其的影响。

收藏!汽车48V方案指南完整版

该控制器可通过漏极引脚轻松控制,支持理想二极管工作模式和极性反接保护工作模式(www.e993.com)2024年11月9日。欲了解有关极性反接保护和理想二极管应用的更多信息,请参阅应用手册:AND90146-正确选择MOSFET以实现极性反接保护。图3:NCV68261应用原理图(理想二极管)图4:NCV68261应用原理图...

详解大功率电源中MOSFET功耗的计算

从某种意义上讲,先假定一个MOSFET结温,然后再计算环境温度,这是一种逆向的考虑方法。毕竟环境温度决定了MOSFET的结温—而不是相反。不过,从一个假定的结温开始计算要比从环境温度开始容易一些。对于开关MOSFET和同步整流器,我们可以选择一个最大允许的管芯结温(TJ(HOT))作为迭代过程的出发点。多数MOSFET的数据资料只...

MOSFET打开的过程

估算方法:2.上升时间tri(t2)定义:从漏极电流开始上升到达到稳定状态(通常为最大电流的90%)的时间。这段时间栅极电压从阈值电压Vth上升到接近驱动电压。3.tfv:VDSV_{DS}电压下降时间定义:漏源电压下降的时间,当续流二极管开始承受电压时,MOSFET上的电压下降,米勒电容(C...

详解开关电源 8 大损耗

当MOSFET断开时,输入电压断开与电感的连接,电感和输出电容为负载供电。电感电流线性下降,电流流过二极管,电流回路如图中的环路2所示。MOSFET的导通时间定义为PWM信号的占空比(D)。D把每个开关周期分成[D×tS]和[(1-D)×tS]两部分,它们分别对应于MOSFET的导通时间(环路1)和二极管的导通时间(环路...

扬杰科技(300373):二极管龙头积极布局车规市场 越南工厂建设助力...

其中,功率二极管市占率位居中国第一,全球第二;整流桥和光伏旁路二极管市占率均位居全球第一。汽车电子是公司的战略大方向,基于Fabless模式的8吋、12吋G2平台40VSGTMOSFET芯片,针对汽车EPS、BCM、油泵、水泵等电机驱动类应用,完成了0.6mR~7mR系列布局,顺利通过车规级可靠性验证,部分客户测试通过...