正确书写离子方程式之我见
(1)当浓度不大,又不加热时,离子方程式为:OH-+NH4+=NH3·H2O(2)当浓度很大,且又加热时,离子方程式为:OH-+NH4+=NH3↑+H2O8.对于微溶物处理方式有三种情况⑴在生成物中的微溶物,当生成沉淀时保留化学式,如:Na2SO4溶液中加入AgNO3溶液有沉淀生成2Ag++SO42-=Ag2SO4↓⑵当反应物里的微溶物...
离子的形成和由离子构成的物质
分子、原子可以构成物质,离子也能构成物质(氯化钠);带电的原子被称作离子;离子符号的写法,是相应的原子符号右上角写上带几个单位的正(或负)电荷。
高考化学丨50例化学疑难问题详解!|离子|溶液|水溶液|氧化|硫酸...
例如石墨的晶体就是层状结构,每一层内的每个碳原子以3个共价键与另外3个碳原子相连,6个碳原子在同一平面内连接成正六元环形的蜂窝式平面网状结构在同一个平面的碳原子还剩下一个p轨道,它们相互重叠,此p轨道中的一个电子可以在层内移动。石墨晶体中层与层之间的距离较大,层与层之间以微弱的范德华力结合。由于...
从砂到芯:芯片的一生
离子注入的原理非常简单易懂,就是利用高能量电场加速杂质离子,直接轰击到半导体表面,最终挤入晶体内部。离子注入设备就像神枪手一样,把各种元素精准均匀地射击至圆片内部,而这也正是离子注入设备的技术难点,即在不损伤微小结构的前提下精准控制掺杂剂量和掺杂深度(粒子射程)。根据离子束能量范围和束流大小,离子注入设备...
一文看懂:芯片的一生-虎嗅网
SOI片主要采用键合或离子注入等方式制作。[6]半导体抛光片、外延片工艺流程图[6]SOI片的工艺流程[6]根据直径,晶圆又分为2英寸(50mm)、3英寸(75mm)、4英寸(100mm)、5英寸(125mm)、6英寸(150mm)、8英寸(200mm)与12英寸(300mm)等规格。
从砂到芯:芯片的一生_腾讯新闻
每个前期工艺都对应着相应设备,包括光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入设备、热处理设备(氧化退火设备)、化学机械平摊(CMP)设备、清洗设备、过程检测设备等(www.e993.com)2024年10月21日。半导体制造及半导体材料产业环节示意图[9]前期加工中,设备主要围绕制程工艺选型,也就是时常被提起的28nm、14nm、10nm、7nm、4nm、3nm……...
从砂到芯:芯片的一生_腾讯新闻
每个前期工艺都对应着相应设备,包括光刻机、涂胶显影机、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入设备、热处理设备(氧化退火设备)、化学机械平摊(CMP)设备、清洗设备、过程检测设备等。半导体制造及半导体材料产业环节示意图[9]前期加工中,设备主要围绕制程工艺选型,也就是时常被提起的28nm、14nm、10nm、7nm、4nm、3nm……...
中信建投张亦弛:电池科技前瞻集萃!技术持续迭代进步,10年以上成长...
1.长期看,锂离子电池极大概率仍是最重要的高性能二次电池。举个简单例子,碳酸锂便宜的时候,没人讲其他的电池,碳酸锂贵到四十好几万的时候,各种电池故事都有。这说明什么问题?为什么贵的时候大家才讲其他的故事,因为从性能角度我们想把锂电池干掉太难了,锂电池它会非常长。
《室外排水设计规范》(GB50014-2006)
6.6.39每天的周期数宜为正整数。6.6.40连续进水时,反应池的进水处应设置导流装置。6.6.41反应池宜采用矩形池,水深宜为4.0~6.0m;反应池长度与宽度之比:间隙进水时宜为1:1~2:1,连续进水时宜为2.5:1~4:1。6.6.42反应池应设置固定式事故排水装置,可设在滗水结束时的水位处。6.6.43反应池应采...
高三化学教案:《电化学教案》教学设计
第一、活性电极:负极失去电子发生氧化反应;正极上,①电解质溶液中的阳离子与活性电极直接反应时,阳离子(或氧化性强的离子)得到电子;②电解质溶液中的阳离子与活性电极不反应时,溶解在溶液中的O2得电子,发生还原反应。第二、两个电极得失电子总数守恒。