【突破】清华“太极-Ⅱ”芯片突破智能光计算训练难题;我国科学家...
扇出型面板级封装能够提供高带宽和高密度的芯片互连,因此具有更大的发展潜力。由于可在更大的矩形面板上重新分配芯片,扇出型面板级封装为封装大型图形处理器(GPU)和高密度高带宽内存(HBM)节约了大量成本。我们的UltraECPap-p面板级的水平式电镀设备充分利用我们在传统先进封装的晶圆电镀和铜工艺方面的丰富技术专长,...
「硅酷科技」获亿元级战略融资,专注芯片互连技术
通过封装互连,芯片得以接收电力、交换信号并最终进行操作。其中,半导体产品的速度、密度和功能根据互连方式而变化,因此芯片的互连方法也会持续变化和发展。「硅酷科技」的主营产品包括不同场景的高精度芯片键合设备,覆盖手机模组、功率半导体、AI芯片行业、先进封装bonder,此外在3DIC晶圆制造的先进封装制程——混合键合(...
3D芯片,续写摩尔定律
将芯片迅速加热到临界锡球融化温度;(3)经过相机对位后,BondHead把芯片精准贴放到基板的凸点阵列区;(4)在基板和芯片的凸点物理位置接触的一瞬间,BondHead从压力敏感控制转为位置敏感控制,并迅速加热到锡球融化温度以上保持数秒,之后BondHead迅速冷却,使得上下凸点之间的连接变为固相。
下一代芯片的关键:芯片互连技术的创新
图3芯片对芯片的混合键合是实现亚微米级互连密度三维片上系统(3D-SoC)集成的关键技术。Imec采用SiCN作为键合介电层的专有方法,使互连间距缩减至400纳米。微凸点与混合键合的比较在2.5D技术中,芯片模块通过小型焊料凸点放置在中间层上,实现电气和机械连接。这些微凸点之间的间距越细,连接速度和稳定性就...
小芯片(Chiplet)互连技术的创新
晶圆到晶圆混合键合是集成3D-SoC到微米互连密度级别的关键技术。Imec的专有方法使用SiCN作为键合电介质,将互连间距缩小到700nm,未来可能达到400nm和200nm。●微凸块与混合键合:不同互连技术的比较对于2.5D技术,使用小焊料凸块将芯片放置在中介层顶部,从而建立电气和机械连接。工业上的微凸块间距通常达到50??m...
通用芯粒互连产业联盟发布UCIe 2.0规范
8月6日,通用芯粒互联产业联盟(UCIeConsortium)宣布发布UCIe2.0规范,这是对芯片互连技术的重要更新(www.e993.com)2024年9月19日。因为摩尔定律的失效,半导体行业过去多年正在寻找提升芯片性能的方法,而芯粒(Chiplet)正在成为几乎所有巨头的共同目标。然而,因为Chiplet的理念是将芯片的不同功能模块变成一个die,如何保证这些die能够更通用地连接到一...
台积电申请集成芯片及其形成方法专利,针对包括设置在第一导电互连...
第一导电互连结构位于衬底上面。第二导电互连结构位于第一导电互连结构上面。第二导电互连结构包括直接位于导电通孔段上面的导线段。铁电结构沿导线段的相对侧壁和底面并且沿导电通孔段的相对侧壁和底面连续延伸。本申请的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
三星取得半导体封装及制造其的方法专利,使得第一半导体芯片能在第...
三星取得半导体封装及制造其的方法专利,使得第一半导体芯片能在第一互连基板的第一开口中_腾讯新闻,半导体芯片,三星,三星电子,集成电路,专利,封装
短距离光互连核心光电芯片的国产化攻坚
面向短距离光互连技术升级演进的重大需求,聚焦高速、低功耗两个核心关键点,围绕短距离高速光互连能耗机理及控制方法关键科学问题,突破关键核心光器件与电芯片技术壁垒,实现进口芯片的国产化替代,改变我国短距离光互连核心元器件受制于人的被动局面,支撑通信网络、高性能计算、物联网与智慧城市等应用领域的自主可控发展,...
英特尔公布了一种提高芯片组封装生态系统功耗效率和可靠性的方法
英特尔公司圣克拉拉的研究人员最近概述了一种新的愿景,旨在进一步提高遵循通用芯片组互连表达(UCIe)的系统性能,这是一种用于标准化现代系统内封装(SiP)中多功能芯片组之间连接的规范。他们提出的方法在《自然电子学》杂志上发表的一篇论文中进行了介绍,其中包括降低这些电路中的频率以提高其功率效率和性能。