亚成微取得一种线性平面功率 VDMOS 结构及其制备方法专利,解决...
专利摘要显示,本发明提供了一种线性平面功率VDMOS结构及其制备方法,用于解决现有VDMOS结构只适用于小尺寸功率MOS,且采用高浓度高能杂质离子注入与二次退火方案形成势垒屏蔽结构时工艺实现困难、稳定性较差,以及JFET区电阻过大的技术问题。本发明提供的VDMOS结构制备方法,增加了一次光刻和刻蚀工艺,并采用普通低...
还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法
在这种方法中,电阻中的能量等于充电和放电状态下的电容。我更觉得是放电状态,因为很明显电容中的能量比电阻中的能量没有地方可以去,这里没有考虑MOSFETD对状态电阻的小阻尼效应。在电容处于充电状态时,我不太同意。用这个方法,就假设电容充电和放电期间的能量时相同的,也就是电阻的能量。电阻中的能量等于充电和放...
东微半导申请半导体超结功率器件及其制造方法专利,实现短沟道的...
本发明的半导体超结功率器件的制造方法,先制造得到栅极结构和p型体区,再在n型半导体层内形成沟槽,之后各向同性地进行离子注入形成p型掺杂区,再填充氧化层形成柱状绝缘层,这可以去除外延工艺,采用较低的热预算来制造芯片,在实现短沟道的同时还能够降低半导体超结功率器件的制造难度并降低导通电阻。
海信家电获得发明专利授权:“智能功率模块IPM、控制方法及设备”
分别与检测电路和功率开关元件电连接,用于接收检测电路的检测结果和信号输入端子传输的PWM信号,并在检测结果为低电流区域时栅极电阻切换至第一电阻模式,并在第一电阻模式下基于PWM信号控制功率开关元件的导通或者关断;或者
大众汽车申请用于运行功率半导体元件的方法和设备专利,该专利技术...
金融界2024年4月12日消息,据国家知识产权局公告,大众汽车股份公司申请一项名为“用于运行功率半导体元件的方法和设备“,公开号CN117879325A,申请日期为2023年10月。专利摘要显示,本发明涉及一种用于运行功率半导体元件的方法和设备,该功率半导体元件对于功率电流具有能够设置的导通电阻,其中,改变用于设置最小导通电阻的控...
禹龙通收到宇航射频大功率电阻重大产业化建设资助869万元
挖贝网12月1日,禹龙通(873725)近日发布公告,2023年11月30日,深圳市禹龙通电子股份有限公司(简称“公司”)收到宇航射频大功率电阻重大产业化建设资助8,690,000.00元(www.e993.com)2024年7月27日。公司将按照《企业会计准则第16号-政府补助》的有关规定,对上述专项资金进行会计处理,具体会计处理仍须以审计机构年度审计确认后的结果为准。
GB/T 20234.4-2023英文版翻译 电动汽车传导充电用连接装置大功率...
9试验方法9.1通用试验方法大功率直流充电连接装置试验方法满足GB/T20234.1—2015第7章除7.2、7.3、7.7、7.10、7.13、7.14、7.15之外的要求。9.2外观和结构9.2.1通过观察和手动试验对充电连接装置的外观和结构进行检查。9.2.2标志应清晰,持久。通过目测和下述试验进行验证。
插件电阻封装尺寸表
插件电阻的封装尺寸有多种,具体如下:直径为2.5mm,长度为6mm的封装:一般用在高精度电路中,如电压检测、信号采集等方面。1直径为3.2mm,长度为9.5mm的封装:主要用于一般电路,如电源滤波、干扰抑制等方面。直径为5mm,长度为12.5mm的封装:一般用于高功率电路,如变换器、电源等领域。
运算放大器功耗怎么计算?电路原理分析+设计实例
通过增大反馈电阻值来降低系统中放大器的输出功率。当P输出数量超过P静态时,此方法非常有用,但它也有缺点。如果反馈电阻大大超出RL,那么RL将控制RLoad,导致功率达到稳定水平。反馈电阻与放大器的输入电容相互作用,导致电路变得不稳定和噪声。建议将每个运算放大器输入端相应电阻的热噪声(如下图)与放大器的电...
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
7.电阻功率计算:经过分压器的最大电流为36V/(R2+R3)=36/(200+100)=0.12mA,R2功率0.122×200=2.88mW,取Ⅰ级降额系数0.5,于是R2功率为2.88/0.5=5.76mW=0.00576W,这个功耗比0201封装的1/20W=0.05W小了将近10倍,因此任何封装的贴片电阻都能满足功率要求。R3/R2=100/200=1/2,二者是串联关系,因此功率...