SiC MOSFET在电动汽车中的应用问题

SiCMOSFET的短路耐受时间比SiIGBT的短路耐受时间要短。当主驱逆变器应用中存在上下桥臂直通的故障时，SiCMOSFET因直通而承受电池瞬态释放的巨大能量，又由于SiCMOSFET的芯片面积更小，导致更高的短路电流密度和更快的结温上升而出现击穿故障。当SiCMOSFET作为主驱逆变器的主要部件时，其短路能力弱的特点使得传...

SiC将撬动千亿级电焊机市场!这2家企业已合作“抢跑”

具体来看,SiCMOSFET的应用可为逆变焊机带来以下主要优势:●动态性能提升:SiCMOSFET的高逆变频率使得焊机可以采用更小的滤波电抗,减少主电路时间常数,提高动态性能和电流控制响应速度,电弧更稳定,适合自动化焊接系统。●效率提高:SiC器件的低动态损耗使得系统效率可提高到93%以上,相比传统IGBT的85%-90%效率有显著提...

SiC MOSFET模块的激光焊锡在新能源汽车领域的高精密应用

综上所述,SiCMOSFET模块作为一种高性能的功率半导体器件,具有耐高温、高阻断电压、低损耗和开关速度快等优势,在电驱动系统、车载充电等领域的应用越来越广泛。而激光焊锡技术以其高精度焊接、热影响区小、无接触焊接、高效率和速度以及清洁环保等特点,成为汽车电子焊接的关键技术之一...

新能源汽车快充行业深度报告:电动汽车20时代必争之地

MOSFET是单极器件,没有拖尾电流,SiCMOSFET的导通电阻和开关损耗都大幅下降了,整个功率器件有高温、高效、高频的特性,能提升能源转换效率。电机驱动方面,在其中使用SiC器件有不少优势。它能提高控制器的效率,提升功率密度和开关频率,还能减少开关损耗,让电路散热系统更简单,这样就能降低成本、减小体积,使功率密度得到改...

英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高性价比电驱

2、从开关特性看,IGBT属于双极性器件,在关断时由于少子的复合肯定会造成拖尾电流,使其开关损耗特性较差。而SiCMOSFET具有更快的开关速度,且没有拖尾电流,所以其开关损耗对比IGBT具明显优势。综上,SiCMOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiCmosfet还是SiIGBT...

还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法

单个MOSFET来简化电路VDD电平理想情况下是输出电平加上尖峰电平的两倍(www.e993.com)2024年11月10日。五、缓冲电路计算1、RC缓冲电路中的功率损耗RC缓冲器中功率耗损主要是电阻。必须根据功率耗损和缓冲器有效地选择合适的电阻尺寸。电阻过高会降低功率损耗,就有可能无法提供有效的缓冲器。

高效控制:类比半导体DR7808在新能源汽车中的应用

2.6精准电流检测:实时监测与优化DR7808芯片内部集成了两个高精度CSA电流检测运放,其在offset精度上展现出色表现,误差仅约1mV,这一特性显著优于国际大厂竞品。芯片设计的灵活性体现在其支持多种电流检测方式,既可在电源端串联检流电阻,亦可在接地端使用分流电阻,甚至在电机内部串联分流电阻进行检测,其中电机端检测的...

车载数字电源研究:从电源侧、配电侧、用电侧,看汽车电源数字化演进

来源:ST意法半导体基于StellarE的22KWOBCwith3KWDC-DCcombosystem二合一解决方案,可兼容市面上3.3KW&6.6KW&11KW,其Stellar-E1是双核MCU具有300MHz的算力,丰富的外设,最大优势是晶片具有安全功能,无需另外搭配安全芯片来设计,符合ISO26262ASIL-D的安全功能需求,且也具备OTA功能。

IGBT 还是 SiC ? 英飞凌新型混合功率器件助力新能源汽车实现高...

SiCmosfet开关特性IGBT开关特性图2IGBT和SICMOSFET开关特性综上,SiCMOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiCmosfet还是SiIGBT时需要考虑一个盈亏平衡点。新能源车动力配置布局新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴...

2024 汽车芯片创新成果典型案例新鲜出炉,看看都有谁

产品优势包括：第一，双抖频特性提供优越的EMI性能。第二，支持Boost/Flyback/SEPIC多种拓扑架构。第三，可根据输出功率灵活选择外置MOSFET。应用场景包括新能源汽车三电系统、ADAS系统、座舱系统。北京芯驰半导体科技股份有限公司舱之芯-X9系列智能座舱芯片芯驰舱之芯X9系列处理器是专为新一代汽车电子座舱设计的车规级...