中国芯再破纪录!沟槽型碳化硅MOSFET芯片颠覆行业格局
革命性的沟槽结构沟槽型碳化硅MOSFET芯片的横空出世,犹如为半导体行业打开了一扇崭新的大门。其设计巧妙地采用沟槽栅结构,相较于平面栅结构,实现了显著的性能飞跃:更低的导通损耗、更高的开关性能以及更密集的晶圆布局。这些特性不仅极大地降低了芯片使用成本,更为重要的是,它们为新能源汽车的续航能力提升、智能电...
山水节能申请一种适用于内外压差的迷宫式轴承隔离器专利,延长使用...
通过设置倾斜的环形沟槽,增大第一、第二密封圈在受压时与环形沟槽的接触面积,尽可能减少被压入配合间隙的体积比,延长使用寿命。本文源自:金融界作者:情报员
金标股份取得一种声屏板及应用其的声屏障专利,提高声屏板的使用...
在使用性能上可避免铆接处锈蚀,保证整体的固定强度。在该声屏板的组装结构中,外壳体的顶部为上翻边沟槽包覆上卡接部的结构形式,搭接的缝隙竖向设置且在内侧还设有竖直的上卡接部进行防护,使得雨水不会进入外壳体内,从而避免了声屏板腐蚀以及吸声体下沉填充不均匀的问题,进而提高了声屏板的使用寿命和吸声降噪效果。...
地板蜡和地板精油哪个好,地板蜡使用方法及怎么清理清除
使用吸尘器清除地板表面的垃圾和灰尘。用稀释后的中性洗涤剂擦拭地板上的污渍。对难以清除的污渍可用信纳水擦拭。为防止洗涤剂积留在沟槽处、浸泡了洗涤剂的抹布要尽量拧干。地板蜡清除剂会导致地板产生痕渍和鼓胀、*不可使用。3、湿布擦拭使用用力拧干的抹布进行擦拭。地板表面、特别是沟槽部分、要仔细擦拭、不要...
中秋快乐丨2024英飞凌零碳工业应用技术大会北京/深圳热力继续!
沟槽型CoolSiC??MOSFET的技术解析与应用设计要点●沟槽栅CoolSiC??MOSFET设计带来高可靠性●CoolSiC??MOSFET技术参数解析及低开关损耗特性●沟槽栅CoolSiC??MOSFET达到高效率的应用设计要点使用新一代H系列单管IGBT设计高效新能源系统●InfineonTRENCHSTOP??IGBT7单管产品介绍...
玲珑轮胎申请工程机械子午线轮胎花纹沟槽结构及轮胎专利,提升轮胎...
第一弧形曲面与花纹沟槽底部相切,第二弧形曲面与花纹沟壁相切(www.e993.com)2024年9月16日。本发明通过对花纹沟槽角度和位置的设计可以有效降低花纹沟槽底部方向应力集中现象,有效改善花纹沟壁与一段弧之间过度过大问题,延缓花纹沟底裂口和由于自洁性差夹石子的风险,提升轮胎使用寿命,实现轮胎综合性能的提升。
功率半导体大厂,都在走这条路
2023年,斯达半导体基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的750V车规级IGBT模块大批量装车,同时,其基于第七代微沟槽TrenchFieldStop技术的1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点,将推动2024年-2030年斯达半导体新能源汽车IGBT模块销售增长。
轮胎中间沟槽裂缝了还能继续使用吗
首先,如果轮胎因老化而磨损严重,不管使用时间长短,都应考虑更换,因为老化可能影响安全性能。轮胎沟槽深度至关重要:当花纹剩余沟槽深度低于1.6毫米时,排水能力急剧下降,尤其在湿滑路面行驶时,安全隐患增大。此时,无论轮胎行驶了多少公里,都应毫不犹豫地更换新胎,以确保行车安全。对于受损轮胎,比如因缺气而碾压的...
安森美开发使用沟槽结构SiC器件,有效降低成本
据eeNews报道,安森美正在开发使用沟槽结构而不是平面结构的碳化硅MOSFET,将于今年晚些时候推出,预计2024年会出样。该公司在捷克布尔诺附近拥有SiC外延片工厂,并在韩国的一家晶圆厂进行设备制造。转向沟槽结构允许在150毫米(6英寸)晶圆上构建更多器件,从而降低器件成本。该公司还有一个用于200毫米(8英寸)SiC晶圆生产的...
东海研究 | 电子:华为官宣Mate XT预热新品发布会,IFA 2024掀起AI...
沟槽型碳化硅MOSFET芯片较平面型提升导通性能30%左右,目前中心正在进行沟槽型碳化硅MOSFET芯片产品开发,推出沟槽型的碳化硅功率器件,预计一年内可在新能源汽车电驱动、智能电网、光伏储能等领域投入应用。(信息来源:同花顺财经)9)欧洲半导体产业协会呼吁欧盟通过加速制定“芯片法案2.0”等方式支持行业发展...