转型之路丨西保集团新型碳化硅石墨坩埚顺利批量投放市场
为走出一条非钢产业之路,2023年以来,西保技术人员依托国家认定企业技术中心、CNAS实验室和2万吨自动化等静压生产线优势,结合客户要求标准开展技术攻关,从选料、配料、成型、烘烤等多个关键环节入手,对碳化硅石墨坩埚节能降碳和等静压高压成型工艺进行了全新设计,并专门针对市场需要研发了特种表面釉料和涂层。经客户现场应...
神秘的“坩埚”材料:上千度钢水熔不了它
在铜石器时代,这些古老的坩埚采用顶部加热的方式,用吹管进行加热。进入铁器时代,坩埚的使用与青铜时代如出一辙。人们利用铜和锡进行冶炼,以铸造出熠熠生辉的青铜器。罗马时期,技术进步的春风使得坩埚制造焕发新生。这一时期,坩埚被赋予了新的使命,用于生产前所未有的合金。与此同时,熔炼与熔化的技艺也紧随其后,...
坩埚之不灭奇迹为何几千度的钢水竟无法熔化坩埚?揭秘坩埚的秘密
2.陶瓷涂层:陶瓷涂层是另一种常用的设计方法,它能够有效地减少钢水对坩埚的腐蚀,并且具有很好的耐热性能。坩埚与钢水之间的隔离层为了更好地防止钢水与坩埚接触,可以在二者之间添加一个隔离层。这种设计可以进一步减少钢水对坩埚的侵蚀,并提高金属液体的质量。1.气体隔离层:气体隔离层是一种常见的防止钢水与...
半导体设备碳化硅(SiC)零部件行业研究报告
志橙股份制备高纯烧结碳化硅的主要方法为反应烧结和重结晶烧结法。反应烧结碳化硅是将碳化硅粉、碳源粉和有机结合剂按比例混合,压制成素胚,后经浸渗高温熔融硅,熔融硅在表面张力的作用下沿着毛细管渗入素坯,反应生成β-SiC,并与素胚中原有的α-SiC相结合,同时游离硅填充毛细管与气孔,从而得到高致密性的材料。来源...
【产业研究】高压快充趋势及产业链降本,加速碳化硅产业进展——新...
击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗高临界击穿电场的特性使其能够将MOSFET带入高压领域,克服IGBT在开关过程中的拖尾电流问题,降低开关损耗和整车能耗,减少无源器件如电容、电感等的使用,从而减少系统体积和重量;...
碳化硅液相法(LPE)工艺
据悉丰港化学碳化硅长晶炉采用液相法8英寸SiC晶体的已经小批量交付日本及中国客户进行工艺研发(www.e993.com)2024年7月30日。液相生长中的一些关键问题,如助溶液包裹、生长面不稳定等问题也逐步的到了改善。丰港化学液相法张晶炉内的加热方法采用两段式加热,生长温度约为2000℃,生长压力为150KPa。在生长过程中,石墨坩埚为晶体生长提供C...
氧化镓会取代碳化硅吗?一文看懂氧化镓 | 金刚石大会 | 碳材料展
由于直拉法原料挥发较多,氧化镓的长晶工艺从直拉法逐步演变为有铱盖和模具的导模法,两种方法均需使用铱坩埚,目前导模法已成为主流的氧化镓长晶方法。然而由于铱坩埚的成本和损耗太高,生长几十炉后就会被腐蚀损耗,需要重新熔炼加工,且长晶过程中,铱会形成杂质进入晶体,产业界有很强的无铱法开发需求。
半导体用SiC/TaC涂层部件的研究进展
在碳化硅和石墨涂层领域,我们追求更高的纯度、良好的机械性能和涂层结合性,以及优异的抗腐蚀性能。此外,涂层结构也需要根据不同的使用工况确定高温结构或低温结构。目前,制备碳化硅涂层的方法包括CVD方法、料浆烧解法和等离子喷涂法,其中CVD应用最为成熟,但技术封锁严重且价格昂贵,订货周期长。国内的高校如中南大学...
晶盛机电(300316.SZ):公司光伏设备领域已在硅片端、电池端以及...
公司掌握6-8英寸碳化硅材料的生长及加工技术,并建设实施年产25万片6英寸及5万片8英寸碳化硅衬底的产业化项目,加速推进大尺寸碳化硅衬底材料的产业化进程。公司研发高纯石英坩埚、钨丝金刚线等产品,通过和核心耗材联合创新方式进一步提升综合竞争力。对半导体阀门、磁流体、专用风机、尾气处理装置等核心零部件进行研发,并...
石墨烯,半导体的新希望?|石墨烯|芯片|纳米_新浪新闻
石墨烯带隙的打开主要有两种方式:一种是纳米带方法,这种方法是将石墨烯切割或塑造成极其细小的纳米带。通过纳米加工技术,现在可以以接近原子级的精度制造石墨烯纳米带。在这些纳米带中,由于量子限制效应,电子被限制在一个维度上活动,从而导致带隙的打开。这种方法的挑战在于制造过程的复杂性和样品间的变异性,这使得在...