芯导科技取得自对准场效应晶体管制备方法专利,可优化器件的性能

专利摘要显示,本发明提供一种自对准的场效应晶体管及其制备方法,于硅基外延层的表面和栅极多晶硅的表面依次形成第二氧化层和第二介质层,于栅极多晶硅两边的侧壁区域有侧壁的第二介质层,刻蚀第二介质层并保留侧壁的第二介质层,由侧壁的第二介质层形成接触孔的自对准,刻蚀第二氧化层和硅基外延层形成接触孔。此方...

MOS(场效应管)最常用的方法

1、使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;2、如果使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。

...胡平安教授ACS Nano:柔性可穿戴式场效应管传感器用于汗液中...

传统的检测方法,例如免疫荧光法和酶联免疫吸附法,往往需要复杂的操作和较长的时间进行检测,限制了其大规模应用。因此,发展可穿戴传感器,实现对于痕量蛋白的检测,成为新的研究热点。基于二维材料(如MoS2和石墨烯)的场效应晶体管传感器因其无标记、快速响应和高灵敏度等优点而备受关注,在人体代谢物和离子检测方面得到了...

ACS Nano:石墨烯场效应晶体管上的栅控可调分子扩散!!

本文展示了一种控制干净石墨烯场效应晶体管(FET)表面上F4TCNQ分子扩散的方法,该方法通过静电门控来实现。通过调节石墨烯FET的背栅电压(VG),可以在分子吸附物之间切换负电荷和中性电荷状态,从而导致它们的扩散特性发生显著变化。扫描隧道显微镜(STM)测量揭示了中性分子的扩散性随着VG的减小而迅速降低,并涉及旋转扩散过程。

还分不清结型场效应管与绝缘栅?看这一文就够了,图表展现

JFET通常被称为“ON器件”是一种耗尽型工具,具有低漏极电阻,而MOSFET通常被称为“OFF器件”,可以在耗尽模式和增强模式下工作并具有高漏极电阻。接下来简单的介绍一下JFET与MOSFET。什么是JFET?JFET是结型场效应晶体管的首字母缩写,由栅极、源极和漏极3个端子组成。

北京大学申请基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管...

专利摘要显示,本发明公开了一种基于电介质掺杂的二维垂直堆叠互补型场效应晶体管及其制备方法,属于半导体技术领域(www.e993.com)2024年11月16日。本发明的互补型场效应晶体管器件由同种二维材料的两层沟道垂直堆叠而成,两层沟道的栅极分别位于器件的底端和顶端,且由通孔实现互连;上下两层沟道分别使用不同的绝缘栅介质,分别对沟道实现p型和n型掺杂...

吃透MOS管,看这篇就够了

控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱,就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的,这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点,所以也称之为场效应管。3、MOS管的特性;上述MOS管的工作原理中可以看出,MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的,由于Sio2绝缘层的存在,在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在,电压VGS产生...

ATA-7025:高压放大器的原理是怎样的

高压放大器的工作原理基于放大器的基本原理,即利用电子元件的特性来放大信号。在高压放大器中,通常采用电子管、场效应管等器件来实现信号的放大。这些器件能够根据输入信号的变化,控制输出信号的大小,从而实现对信号的放大。高压放大器通常使用直流电源作为供电,以提供高压输出信号。其工作过程涉及到输入信号的放大、功率转...

??基础回顾:电阻、电容、电感、二极管、三极管、mos管

(就是并一个电阻在IC内部的上拉电阻上,这时总电阻减小,总电流增大)。当然管子按需要工作在线性范围的上拉电阻不能太小。当然也会用这个方式来实现门电路电平的匹配。一般作单键触发使用时,如果IC本身没有内接电阻,为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态,必须在IC外部另接一电阻。

扩展栅场效应晶体管化学与生物传感器现状与展望

第一个基于场效应晶体管的传感器起源于1970年由Bergveld引入的离子敏感场效应晶体管(ISFET)结构。从那时起,我们见证了ISFET在大量应用中的发展,包括pH传感,早期疾病检测,药物筛选等。虽然典型的基于FET的器件与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有相同的基本结构,具有嵌入式源(S),漏极(D)和栅极(G)金属化...