电机驱动创新,如何解决机器人运动控制中的设计挑战?
onsemi(安森美)的N沟道MOSFETNTTFS012N10MD,采用先进的PowerTrench工艺设计,经过工艺优化的NTTFS012N10MD以极低的导通电阻RDS(on)实现了极低的传导损耗,同时还能保持优异的开关性能。NTTFS012N10MDMOSFET具有的低QG和电容可很大限度地减少电机驱动器的损耗,低QRR、软恢复体二极管和低QOSS可提高轻负载效率,非常...
8种开关电源MOS管的工作损耗计算
确定驱动电源电压Vgs后,可通过如下公式进行计算:Pgs=Vgs×Qg×fs说明:Qg为总驱动电量,可通过器件规格书查找得到。6、Coss电容的泄放损耗PdsCoss电容的泄放损耗,指MOS输出电容Coss截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。Coss电容的泄放损耗计算:首先须计算或预计得到开启时...
高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析,一文get√
由于主要的功率损耗是栅极驱动损耗,因此计算驱动器损耗的最简单快捷的方法是将栅极驱动损耗(Pgate_drving)和VDD上的动态损耗相加。这些损耗在中等电压级别的高低边驱动器产品中占90%以上。热分析一旦计算出驱动器内部消耗的功率,我们就可以估算驱动器的结温。这可以根据热阻或类似热设计(散热和气流)的特性进行...
哈尔滨工业大学徐殿国教授:永磁同步电机弱磁控制策略研究综述
应用最广泛的方法是d轴电流调节法,通过PI控制器获得削弱永磁通的d轴电流。双调节器FW控制方法的研究可以概括为三个方向:过调制(Overmodulation,OVM)策略的应用、控制器参数设计和扰动抑制。为了使当前轨迹沿最大电流圆移动,电流相角调节是另一种FW控制方法。该方法保留了电压闭环控制鲁棒性高的优势,并通过PI控制调节...
iSMARTWARE智融推出氮化镓直驱控制器SW1106
智融SW1106内部集成输入电压保护,供电过压保护,输出过压保护,逐周期电流限制,过载保护,输出过流保护,电流取样电阻开路和短路保护,芯片内置过热保护,支持外接热敏电阻进行器件过热保护,保护功能全面。充电头网总结得益于氮化镓器件比传统的硅器件的开关速度更快、通态电阻(RDS-on)低、驱动损耗更小,在小型化电源等需...
中恒电气取得一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法专利...
专利摘要显示,本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值(www.e993.com)2024年10月18日。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电压击穿栅极,...
...发明专利授权:“一种利用电子表格的IGBT结温迭代快速计算方法”
驱动电阻等各变量之间的函数关系,再根据对应的函数关系和计算公式计算得到IGBT的功耗和结温,建立表格,利用表格IF函数、比较函数功能找到使预设温度行和实际计算行最近的温度值,即得Treal大致的温度点;最后根据实际精度需要,利用上面同样的方法,根据大致的温度点来决定做n行,相同方法找出使预设温度行和实际计算行最近的值...
长鑫存储申请数据处理电路、方法、发送电路以及半导体存储器专利...
长鑫存储申请数据处理电路、方法、发送电路以及半导体存储器专利,该电路能够减少信道损耗对信号质量的影响,信道,电阻,损耗,长鑫存储,数据处理,信号质量,半导体存储器
中恒电气获得发明专利授权:“一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻...
专利摘要:本发明属于电力技术领域,涉及一种快速确定高压条件下IGBT驱动电阻值的方法,步骤包括:S1、确定充电电量;S2、计算等效寄生电容;S3、计算驱动电阻值。本方法可以利用驱动器固有的寄生电容和使用场合的设计电压的改变量快速地求出最优化的驱动电阻值,功率大部分并不损耗在驱动电阻上,又避免了尖峰电压击穿栅极,省去...
反激电源电路分析
为使栅源极间电容电压的快速泄放,常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管,如上图所示,其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小,同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大,把电源IC给烧掉。开关管工作频率CR6842允许设计者依据系统的使用环境自行调制系统的工作频率,CR6842的典型工作频率为65KHZ...