开关功率晶体管的选择和正确操作
8.用螺钉甚至铆钉固定晶体管是不可行的,可行的方法是使用弹簧夹压住塑料外壳。这是能长期保持足够压力的方法。9.有源开关晶体管带电漏极的温度测量会干扰大多数仪器,探头的高容量也会干扰操作。因此,应在关闭后直接进行测量。10.功耗只能近似计算,开机和关机比较复杂。方法:关机后直接测量外壳温度。然后安装...
...器的晶体管结构及其制造方法专利,降低了有源区原始掺杂的浓度...
专利摘要显示,本发明提出一种半导体储存器的晶体管结构及其制造方法,该方法包括:在衬底上形成有源区及与之相交的字线;在两个字线之间形成接触窗并沉积导电材料;在衬底上形成位线并与有源区相交错;刻蚀未被位线遮盖的导电材料,形成位线接触垫;以及通过接触窗中的未覆盖区域向有源区注入离子,形成离子再注入区域,并...
美的集团获得发明专利授权:“绝缘栅双极型晶体管及其制作方法”
专利摘要:本发明实施例公开一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法,绝缘栅双极型晶体管包括:体区,体区包括掺杂类型相同的第一掺杂区和第二掺杂区;其中,第一掺杂区的掺杂浓度大于第二掺杂区的掺杂浓度,第一掺杂区的体积小于或等于第二掺杂区的体积;第一掺杂区,位于发射极区与漂移区之间,且与发射极区、漂移区及发射极...
她,读博七年,成果终登Nature Materials!
作者接下来考察了载流子密度依赖的迁移率是否能解释晶体管操作中的剩余不对称性。图4a展示了晶体管关断时ID、载流子密度和平均载流子迁移率的瞬态响应。作者通过栅极电流积分和垂直去掺杂阶段沟道内的平均极化子吸收来计算载流子密度,两种方法得到的结果相符。图4b显示了作者计算的载流子迁移率与载流子密度的关系,发现迁移率...
北大团队研发超低动态电阻氮化镓高压器件,耐压能力大于6500V
目前,成熟的超高压功率器件是垂直型Si绝缘栅双极晶体管或Si晶闸管,但它们的开关频率非常低。一种解决方案是采用宽禁带半导体SiC功率器件,以大幅度提高开关频率。但是,SiC超高压器件需要特殊的厚外延工艺,且需要将外延材料的背景掺杂控制到极低的水平,这需要极高的成本。对于SiC功率器件,额外的成本还...
美国国防部披露2025财年预算请求细节
据TechXplore网3月11日消息,奥地利维也纳工业大学研究团队开发出一种智能、可控的可重构晶体管,这些晶体管可以在不同任务之间快速切换,从而节省芯片空间并提高计算速度(www.e993.com)2024年9月11日。传统晶体管需要通过掺杂材料来实现功能的构建,而新型晶体管使用静电掺杂,通过电场控制电荷流动,从而可以根据需要重新配置电路功能。这种灵活性意味着在同一...
双极晶体管基础知识解析
同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就...
长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提高半导体结构的稳定性
所述半导体结构利用第一栅极与第二栅极垂直的布局,在同一步骤中使形成的第一注入区的掺杂浓度小于在第二栅极对应区域形成的第二注入区的掺杂浓度,进而使形成的晶体管的导通电流不同,提高半导体结构的稳定性。
功率晶体管的历史和新兴设计
这种器件设计(图3右侧)通常被称为超结(SJ)MOSFET,已成为制造阻断电压为600–900V的产品的主流方法。这些器件用于开关损耗占主导地位的电机驱动应用,目前许多公司都提供此类产品(英飞凌,意法半导体)。绝缘栅双极晶体管(IGBT)于20世纪80年代初发明、开发并商业化。器件结构(图4左侧)可以设计为在第一象限和第三...
标题仅三个单词!有机双极晶体管,登上《Nature》
在理想的器件中,扩散长度可以直接由掺杂浓度、基层宽度和所得放大率计算。然而这里测量的放大并不代表晶体管本身的固有放大,而是代表器件作为电路的固有放大。放大的现象证明了少数载流子通过基底的扩散,对于具有1wt%基底掺杂的器件,少数扩散长度至少为20nm。基于一组新器件的OBJT操作显示器件具有改进的电极几何形状,...