全球芯片关键技术研究最新进展
与第一代/第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,是用于新能源汽车、5G基站、光伏储能、数据中心等新兴领域的理想材料。相较于硅基器件,碳化硅材料制成的功率器件具备耐...
基于ST L9502+ADP450120W3的主驱逆变器双脉冲测试
脉冲宽度及空心电感量计算:如下图所示是门极驱动信号Vge主要由T1,T2,T3组成。根据经验T1+T3一般≤100us,测试IC电流时主要关注的是第一个脉冲开通时的电流利用公式:可以计算出空心电感的电感量,例如测试800VIC=800A时,如T1时间设置为10us,那么可以计算得出所需电感量L=10uH(需要注意的是T1具有最小脉宽...
半导体金属行业深度报告:镓、钽、锡将显著受益于半导体复苏
我们再从微观角度进行测算,根据南华点金的数据,目前一台手机大致的锡用量为5g左右;根据ifixit对iphone13pro完全拆解后的计算结果,有49颗芯片,那么我们可以大致测算得到一块芯片用锡量在5/49≈0.10g,与宏观方法计算的结果相近。2.10、关注先进封装技术,Low-α材料用量有望增长根据我们的测算,L...
LED灯珠散热的计算方法
*输入电能中大部分(约85%)转化为热量,一般计算中忽略转化为光的部分能量(约15%),假设所有的电能都转变成了热;*在LED工作热平衡后,Tj=Ta+RthjaPd其中Rthja=LED的PN结与环境之间的热阻;Pd=If·Vf:LED的输入功率。三、LED热阻的计算1.热阻的概念热阻:热量传导通道上两个参考点之间的温度差与两点间热...
氧原子在氟化石墨烯上扩散的第一性原理计算研究
最小能量路径法(MEP)MEP方法是一种计算扩散路径的常用方法,它基于DFT计算得到的势能面,寻找连接起始点和终止点的最低能量路径。在这个路径上,势能最小的点被认为是最可能的扩散路径。通常需要进行多次DFT计算才能找到最低能量路径。机器学习方法机器学习方法可以通过训练大量的结构和势能数据,建立模型来预测扩散路径。
中国科学家创制碳家族单晶新材料 有望应用于超导量子计算等
这种新型碳材料具有较高的结晶度和良好的热力学稳定性,并具有适度的禁带宽度(www.e993.com)2024年10月20日。a:准六方聚合碳60的单晶结构示意图。b:单层聚合碳60的STEM图片。研究团队供图最新研究成果有什么应用价值?郑健表示,研究团队成功创制的单层聚合碳60的带隙约为1.6eV(电子伏特),是典型的半导体,预示着其在光/电半导体器件中具有...
中科院造出单层聚合碳60,有望用于半导体、量子计算等领域
前述新型碳材料具有较高的结晶度和良好的热力学稳定性,并具有适度的禁带宽度,为碳材料的研究提供了全新思路。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要取决于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。迄今为止构筑二维材料的最小单元是单个原子,被称为人造原子的纳米团簇作为基本单元构筑更高级的...
达摩院《2021十大科技趋势》:第三代半导体/量子计算/柔性电子迎来...
此外,较宽的禁带宽度使第三代半导体可用作制备短波长光电器件,例如可用于医疗消毒的紫外光源。由于制造设备、制备工艺特别是材料成本上的劣势,多年来第三代半导体材料只是在小范围内应用。直至近几年这一局面才得以打破:一方面,在5G、新能源汽车等新兴市场中,Si基半导体的性能已无法完全满足需求,第三代半导体的...
普渡大学研究团队开发出一种能同时计算和存储的芯片
结果就成为了所谓的铁电半导体场效应晶体管,其构建方式与当前计算机芯片上使用的晶体管相同。α硒化铟材料不仅具有铁电性能,而且还解决了“禁带宽度”通常充当绝缘体而不是半导体常规铁电材料的问题,这意味着电流无法通过并且没有计算发生。α-硒化铟的禁带宽度小得多,这使得这种材料成为半导体而不会失去铁电性...
并行FDTD方法分析光子带隙微带结构
设r=2.75mm,w=0.5mm,单元数units=5,计算了单元间距d分别为3mm,6mm和9mm时的s21曲线,如图5所示。从图5中可以看出,禁带的中心频率随着单元间距的改变而改变,单元间距变大,禁带中心频率向低端偏移,而且禁带深度变大,反之向高端偏移,禁带深度变小。禁带宽度随单元间距变化不大。