长鑫存储:发明控制电路与读写方法推动内存技术创新

金融界报道称,长鑫存储技术有限公司近日获得了一项名为“控制电路、读写方法以及存储器”的专利,授权公告号为CN115565565B。这一专利的申请日期为2021年7月,标志着长鑫存储在内存技术领域的重要进展。控制电路和读写方法的创新,有望在存储器的效率和性能上带来显著提升,进一步推动半导体技术的发展。随着信息技术的不断...

长江存储申请一种存储器及其制备方法和存储系统专利,提高了存储容量

第一存储芯片包括第一共源极层,第二存储芯片包括第二共源极层,第一共源极层和第二共源极层通过第一键合触点在键合面键合。本申请将两个存储芯片通过共源极层键合集成,以实现高层数堆叠,提高了存储容量。本文源自:金融界作者:情报员

2024 年全球存储器市场销售额有望增长 61.3%,新型存储器迎来发

FeRAM在市场上的应用规模比较小，主要有两大瓶颈：一是容量有限，目前最大容量只有8Mbit；二是容量有限，目前最大容量只有8Mbit。其次，其成本较高，限制了其更广泛的应用。“至于未来如何实现大容量发展，通常的做法是在现有8Mbit的基础上，通过多台堆叠的方式来扩大容量。比如可以通过两台单元堆叠来实现，也可以...

深入探讨计算机如何进行高效计算的原理与方法

输入数据被转换为计算机可以理解的格式,并存储在内存中。数据处理(DataProcessing)数据处理是计算机计算的核心。在这一阶段,CPU根据指令对数据进行运算。运算可以是算术运算(如加、减、乘、除),也可以是逻辑运算(如与、或、非)。CPU通过运算单元(ALU)执行这些操作,并将结果存储在寄存器中。输出结果(Output...

打破国际垄断!国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒

国产最大容量新型存储器芯片面世:存10GB仅需1秒快科技10月2日消息,据媒体报道,新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片"NM101"面世,有望结束国际巨头的长期垄断局面。新存科技总经理刘峻透露,"NM101"芯片的容量达到64GB,是国内同类产品的数十倍,同时支持随机读写。

国产最大容量新型存储器芯片问世,有望打破国际巨头长期垄断

近日,武汉光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断(www.e993.com)2024年12月19日。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片容量直接提升到Gb级,目前已达64Gb,支持随机读写,且存储时读、...

【头条】国产最大容量新型存储器芯片问世;

1.国产最大容量新型存储器芯片问世,有望打破国际巨头长期垄断;近日,武汉光谷企业新存科技(武汉)有限责任公司(以下简称“新存科技”)宣布其自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世,有望打破国际巨头在该领域的长期垄断。新存科技总经理刘峻介绍,目前国内市场上同类产品容量仅为Mb级,“NM101”芯片...

新存科技发布国内最大 64Gb 单芯片容量 3D 新型存储器芯片 NM101

NM101基于新型材料电阻变化原理,采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,在单颗芯片上集成了百亿级规模的非易失性存储器件,单芯片容量达64Gb。新存科技NM1013D存储器芯片支持随机读写,较市面已有大容量非易失性产品读写均提速10倍以上的同时寿命也增加了5倍,能大幅提升系统解决方案的性能。

...提问:董秘您好!请问公司2020年3月发表的高可靠超大容量存储器...

请问公司2020年3月发表的高可靠超大容量存储器芯片3D(SIP)芯片封装改扩建项目,现在已经完工了吗?公司官网我看有大容量NANDFLASH是高存储密度的闪存存储器的产品还有SRAM产品,请问是真的吗?如果是真的,这些产品运功到哪些方面呢?董秘回答(航宇微SZ300053):...

新存科技自主研发的国产最大容量新型三维存储器芯片“NM101”面世

这意味着,用户使用该芯片制造的硬盘存储不仅可以大幅度减少加载时间,还能在更长的使用周期内保持高效的表现。此外,“NM101”的创新设计在提升存储密度的同时,确保了低延时的数据访问能力,极大地改善了用户体验。“NM101”芯片的面世,将为我国的数据中心、云计算厂商等提供大容量、高密度、高带宽、低延时的新型存储...