振荡电路评估方法2(振荡裕度与激励功率篇)
最简单的方法是增大Rd,但损失将随之增大、负阻抗将变小。激励功率不能直接测定。把测试针放在与振荡电路相组合的石英晶体单元HOT端子,用示波器测试施加电压Vpp,基于实测值计算流过石英晶体单元的电流。图3表示测试激励功率时的情景。把电流探针插在评估用石英晶体单元的端子上后,装到印制板的石英晶体单元部。
电子元件老化——电阻和运算放大器的老化效应
调整不同的设计参数,我们可以尝试将电阻器温度保持在85°C的典型最大值以下,以提高长期稳定性。同样值得一提的是,在高于标称值的功率水平下操作电阻器可能会导致比基于Arrhenius方程预测的长期漂移更大的漂移。在额定功率以上,电阻材料的老化过程加速的部分可能会出现一些热点。这可能会导致漂移值大于电阻器平均温度预...
...电气故障诊断术汇总,难得收齐!|导体|安培|绕组|电阻|电容器|...
18、电阻串联和并联后总阻值的计算电阻串联值增加,越串越长阻越大。电阻并联值减小,相当截面在增大。并联总阻较难求,各值先要求倒数。倒数之和的倒数,就是并联后电阻。并联只有两电阻,总阻可用简式求。两阻之积作分子,两阻之和作分母。19、三相交流电源的两种接法和两种出线方式三相接法有两种,一个三角...
还搞不懂缓冲电路?看这一文,工作原理+作用+电路设计+使用方法
用这个方法,就假设电容充电和放电期间的能量时相同的,也就是电阻的能量。电阻中的能量等于充电和放电状态下的电容由于充放电过程的能量大小相同,所以只考虑其中一个来获取能量,这里考虑分析中的放电状态。放电状态计算公式考虑到110kHz的开关频率和80V的最大漏极电压以及1nF的缓冲电容,电阻上产生的功...
搞硬件的同事,传了我一些很好的LDO基础知识
封装尺寸越小,RθJA值通常越大。例如,TPS732根据封装不同而具有不同的热阻值:小外形晶体管(SOT)-23(2.9mmx1.6mm)封装的热阻为205.9°C/W,而SOT-223(6.5mmx3.5mm)封装的热阻为53.1°C/W。这意味着TPS732每消耗1W功率,温度就会升高205.9°C或53.1°C。这些值可参见器件数据...
...MOSFET的RDS(ON) 达到业内先进水平,可显著提高功率密度、能效...
为提高功率密度,该MOSFET在4.5V条件下导通电阻典型值降至18.5mW,达到业内先进水平(www.e993.com)2024年9月8日。比相同封装尺寸最接近的竞品器件低16%。SiZF4800LDT低导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET功率转换应用重要优值系数(FOM)为131mW*nC,导通电阻与栅极电荷乘积提高了高频开关应用的效率。
基于比较器的过压保护电路设计方案(完整版)
为防止MOS管损坏,应限制栅源极电压(Vgs),而P沟道MOS管通常具有20V的Vgs最大值,取降额系数为0.8,那么Z2的稳压值选为20×0.8=16V,尽量选择小功率(小稳定电流),小贴片封装的稳压管,可选ZMM16,封装为SOD-80,稳定工作电流为5mA~20mA。8.计算Z2的限流电阻R4的阻值...
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南
如果自举电容器在高端开关处于开启状态时,最大允许的电压降是1.0V,最小电容值通过等式3计算。自举电容计算如下:外部二极管导致的电压降大约为0.7V。假设电容充电时间等于高端导通时间(占空比50%)。根据不同的自举电容值,使用以下的等式:推荐的电容值是100nF~570nF,但是实际的电容值必须...
干货| 通过6个实例电路分析,详解雷击浪涌的防护
(6)耐工频电流值。对8/20us电流波的单次最大放电电流。对50Hz交流电,能经受连续9个周波的最大电流的有效值。(7)绝缘电阻。对8/20us电流波的单次最大放电电流。对50Hz交流电,能经受连续9个周波的最大电流的有效值。(8)电容。放电管电极间的电容,一般在2~10pF之间,是所有瞬变干扰吸收器件中最小的。
高中物理常易混淆的知识点汇总!快来看看~
(1)给定可能故障现象,确定检查方法;(2)给定测量值,分析推断故障;(3)根据故障,分析推断可能观察到的现象等几种情况.分析的关键在于根据题目提供的信息分析电路的故障所在,画出等效电路,再利用电路规律来求解,通常情况下,电压表有读数表明电压表与电源连接完好,电流表有读数表明电流表所在支路无断路。